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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
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연구책임자 | 김형우 |
보고서유형 | 연차보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-01 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300004005 |
과제고유번호 | 1711170731 |
사업명 | 한국전기연구원연구운영비지원(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2023-07-26 |
키워드 | 탄화규소.전력모듈.집적회로.고온.인버터.Silicon Carbide.Power module.Integrated Circuits.High temperature.Inverter. |
□ 연구개발 목표 및 내용
◼ 최종 목표
고온(≥ 225℃) 구동이 가능한 SiC 기반 집적회로 및 이를 이용한 SiC 집적회로 일체형 고온, 고주파, 고효율 전력모듈 개발
◼ 전체 내용
• SiC 집적회로 일체형 수평소자 개발
; SiC 집적회로용 수평소자 설계, 최적화 및 공정 기술 연구
; SiC 수평소자 공정 기술 개발 및 최적화
• 고온 구동 집적회로용 logic gates 기술 개발
• SiC 기반 고온 구동 집적회로 기술 개발
• Electro-thermal 특성화
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