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[국가R&D연구보고서] 변조도핑법을 이용한 고이동도 2차원 반도체 소재 및 소자 기술 연구
Modulation Doping in 2D Semiconductors for High Electron Mobility Transistors 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 고려대학교
Korea University
연구책임자 이동훈
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2022-06
과제시작연도 2022
주관부처 교육부
Ministry of Education
연구관리전문기관 한국연구재단
National Research Foundation of Korea
등록번호 TRKO202300006617
과제고유번호 1345348633
사업명 이공학학술연구기반구축
DB 구축일자 2023-09-13
키워드 나노소재.원자층반도체.나노전자소자.고성능 반도체.변조도핑.Nanomaterials.Atomic semiconductors.Nanoelectronics.High-performance semiconductors.Modulation doping.

초록

□ 연구개발 목표 및 내용
◼ 최종 목표
전하 산란 현상을 억제하여 2차원 물질 기반 고이동도 전자소자를 제작하는 기술을 개발하는 것이 최종 목표임.

◼ 전체 내용
1) 기능성 소자제작을 위한 분자 도핑기술, 2) 2차원 반도체 물질을 이용한 저 접촉 저항 소자제작, 3) 고품질의 type II 2차원 반도체 이종접합구조 기술을 개발하고 이를 융합함으로써 4) 전하 산란 현상을 유발하는 도판트를 전자와 공간적으로 분리할 수 있는 양자우물 형태의 고 이동도 2차원 전자소자를 제작하고자 함.

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 1) 본 연구가 지향하는 최종연구목표 ... 4
  • 2) 본 연구개발의 필요성 ... 4
  • 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 5
  • 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 정도 ... 5
  • 1) 연구수행 결과 ... 5
  • 2) 목표 달성 수준 ... 10
  • 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도 ... 11
  • 5. 연구개발성과 및 활용 계획 ... 11
  • 1) 연구성과 ... 11
  • 2) 연구성과 활용계획 ... 16
  • 6. 참고문헌 ... 16
  • 끝페이지 ... 16

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