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NTIS 바로가기주관연구기관 | 금오공과대학교 Kumoh National Institute of Technology |
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연구책임자 | 임기식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-06 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 교육부 Ministry of Education |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202300006620 |
과제고유번호 | 1345347686 |
사업명 | 이공학학술연구기반구축 |
DB 구축일자 | 2023-09-13 |
키워드 | 질화물 반도체.AlGaN/GaN 이종접합.T자형 게이트.반도체 공정.고주파 소자.Nitride Semiconductor.AlGaN/GaN heterostructure.T-gate.Semiconductor process.RF-Power Amplifier. |
□ 연구개발 목표 및 내용
◼ 최종 목표
차세대 이동통신을 위해 밀리미터 대역 주파수에서 사용이 가능한 질화물 반도체 트랜지스터 개발
◼ 전체 내용
T자형 게이트를 가지는 초고주파용 질화물 반도체 트랜지스터
◼ 1단계
❏ 목표
개발된 트랜지스터의 최종목표 특성은 fT=200 GHz/fmax=300 GHz와 20 V 이상의 항복 전압이며, Johnson’s figure-of-merit (fT × BV)는 4 THz·V이다.<
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