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NTIS 바로가기주관연구기관 | 호서대학교 Hoseo University |
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연구책임자 | 윤의중 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-03 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300008064 |
과제고유번호 | 1345350490 |
사업명 | 이공학학술연구기반구축 |
DB 구축일자 | 2023-09-26 |
키워드 | p형 산화물반도체 박막.상보형 금속산화물 구조의 논리소자.저온 스퍼터링 증착법.semiconductor thin film.CMOS logic devices.low-temperature sputtering method. |
연구개발 목표 및 내용
최종 목표
최종 목표
유연한 CMOS 구조의 논리소자(NAND Gate) 구현
전체 내용
저온 공정(스퍼터링)을 사용하여 p형 산화물 반도체 박막을 개발하여 저온 공정으로 구현된 p-channel 산화물 반도체 기반의 Cu2O TFTs를 개발하고 이를 응용하여 유연한 CMOS 구조의 논리소자(NAND Gate)를 구현함.
1단계
(2019.11 – 2023.2)
목표
유연한 CMOS 구조의 논리소자(NAND Gate) 구현
내용<
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