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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국항공대학교 Hankuk Aviation University |
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연구책임자 | 김광은 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-03 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202300010711 |
과제고유번호 | 1711153987 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2023-10-18 |
키워드 | 전력반도체소자.실리콘.질화갈륨.격자불일치.확장형 설계.Power Semiconductors Device.Si.GaN.Lattice mismatch.Scalable design. |
□ 연구개요
본 연구과제에서는 고정공이동도의 결정형 실리콘(Si)과 고전자이동도의 질화갈륨(GaN)을 조합하여 결정형 실리콘/질화갈륨(Si/GaN) 적층 이형접합 파워반도체 구조를 형성하고 격자불일치(lattice-mismatch)에서 비롯된 계면 비정질층(amorphous)의 성장 억제 메커니즘을 확립하여 전통적인 반도체 에피성장법의 격자전위(dislocation) 문제를 극복한다.
□ 연구 목표대비 연구결과
Si/GaN 적층 이형접합 기반의 RF 파워트랜지스터를 개발하고 확장형 설계(scalable des
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