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NTIS 바로가기주관연구기관 | 조선대학교 Chosun University |
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연구책임자 | 손홍래 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-03 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300010885 |
과제고유번호 | 1711170473 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2023-10-11 |
키워드 | 실리콘 양자점.크기-선택적.반치폭.결정 성장.양자효율.silicon quantum dot.size-selective.full width at half maximum.crystal growth.quantum yield. |
□ 연구개요
❏ Si QDs의 합성방법은 첫째, 전기화학적 식각(etching)하여 만든 다공성실리콘(porous silicon)을 초음파로 분산시켜 합성할 수 있으며 둘째, 초음파화학을 이용하여 합성할 수 있는데, 이는 tetraethyl orthosilicate (TEOS)를 -70℃의 톨루엔 용매 하에서 콜로이드 sodium과 함께 초음파 분산하여 합성할 수 있으며 셋째, ethylene glycol 용매 하에서 Zintl' salt, Mg2Si와 SiCl4를 반응시켜 합성하는 방법
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