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NTIS 바로가기주관연구기관 | 홍익대학교 Hongik University |
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연구책임자 | 박상연 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-06 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300012238 |
과제고유번호 | 1711171861 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2023-10-25 |
키워드 | CuS 전극.이차원 트랜지스터.초박형 소자.전극 제어.저온합성.CuS Electrode.2D Transistor.Ultrathin Devices.Electrode Engineering.Low temperature growth. |
□ 연구개요
이차원 반도체 TMDC 소재 기반의 Transistor는 전하 이동도 및 전력 밀도가 이론적 Phonon Limit에 근접하지 못하고 있으며, 이차원 반도체 소재들은 상대적으로 계면 및 내/외부 결함에 민감하여 고이동도 소자특성이 구현되고 있지 않아, 이를 해결할 수 있는 원자층 단위의 소자 공정기술 연구가 차세대 전자소자 분야의 핵심 기술로 새롭게 부각 될 것으로 예상함. 본 연구는 이차원 소자의 성능을 극대화하고 새로운 ICT 플랫폼을 구현할 수 있는 CuS 나노 전극 기반의 Contact Engineering
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