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NTIS 바로가기주관연구기관 | 국민대학교 KookMin University |
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연구책임자 | 배종호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2024-03 |
과제시작연도 | 2023 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202400008946 |
과제고유번호 | 1711185436 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2024-09-24 |
키워드 | 강유전.강유전 트랜지스터/ 박막 트랜지스터.산화하프늄.금속산화물 반도체.저주파 노이즈.Ferroelectric.FeFET/FeTFT.HfO2.a-IGZO.LFN. |
□ 연구개요
(연구목표)
- 기존 반도체 기술과 호환성을 가지는 HfO2 기반 강유전 메모리 소자를 제작
- 다양한 분석 기법을 활용하여 강유전 소자를 평가
- 반도체 소자 응용 측면에서 필수적인 높은 수준의 재현성과 신뢰성을 갖는 소자 기술을 개발함
재료적으로 우수한 성능을 확보하는 수준의 강유전체 연구에서 한 걸음 나아가, 최적화/안정화 된 강유전 소자의 제조/평가 기술을 확보함. 즉, 반도체 소자의 신뢰성 및 성능 최적화 측면에서 강유전체 및 강유전 소자를 분석/설계/제작함. 또
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