한국과학기술원(KAIST)이 초고속 구동이 가능하고 온도가 낮아질수록 성능이 개선돼 고주파수 대역 및 극저온에서 활용할 수 있는 고성능 2차원 반도체 소자를 개발했다. KAIST는 전기및전자공학부 이가영 교수 연구팀이 실리콘의 전자 이동도와 포화 속도(Saturation velocity)를 2배 이상 뛰어넘는 2차원 나노 반도체 인듐 셀레나이드(InSe) 기반 고이동도, 초고속 소자를 개발했다고 20일 밝혔다.
2차원 인듐 셀레나이드는 기존 실리콘 반도체 및 2차원 반도체보다 높은 전자 이동도와 높은 전류를 보여 차세대 반도체 물질로 주목받고 있다. 그러나 인듐 셀레나이드는 대기 중에서 산화에 취약하고 안정성이 떨어져 고성능 소자 개발이 어려웠다.
연구팀은 하부 절연막으로 고품질 2차원 육각형 질화붕소(hBN) 물질을, 상부 보호막으로 얇은 인듐 금속을 활용해 인듐 셀레나이드의 안정성과 성능을 개선했다. 또 핵심 채널층인 인듐 셀레나이드를 오염시키지 않고 2차원 이종접합 구조를 형성할 수 있도록 해 전자 이동도와 전자 포화 속도를 대폭 향상했다.
인듐 셀레나이드의 전자 포화 속도를 체계적으로 분석해 보고한 것은 이번이 처음이라고 연구팀은 밝혔다. 이가영 교수는 “이번에 개발한 고성능 전자 소자는 초고속 구동이 가능해 5G 대역을 넘어 6G 주파수 대역에서의 동작이 가능할 것으로 예측된다”며 “저온으로 갈수록 소자 성능이 대폭 개선돼 양자 컴퓨터의 양자 제어 IC(Integrated circuit)와 같이 극저온 고주파수 구동 환경에 적합하다”고 말했다.
이번 연구 결과는 나노과학 분야 국제 학술지 ‘ACS 나노(Nano)’ 이달 표지 논문으로 실렸다.