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NTIS 바로가기하이퍼어브��트 접합구조의 PN 다이오드의 누설전류를 감소시키기 위하여 3000Å의 다결정 실리콘을 표면에 증착하여 900℃,N₂분위기에서 30분간 어닐링 하였다. 다결정 실리콘막의 유무 및 n 확산층의 불순물 종류에 따른 다이오드의 누설전류 특성을 조사하였으며 다결정 실리콘막을 사용하였을 경우에 누설전류의 크기를 약 10⁴배 감소시킬 수 있었다. ...
To decrease the leakage current of pn junction diode with hyperabrupt stricture, 3000Å thick polysilicon layer was deposited on the top of conventional P-N diode and then annealed for 30 minutes at 900 ℃ in the N₂ambient. The influence of the polysilicon layer on leakage current characteristics, was...
저자 | 김원찬 |
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학위수여기관 | 경북대학교 산업대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 반도체공학전공 |
발행연도 | 1995 |
총페이지 | 35 p. |
키워드 | 다결정 실리콘 PN 다이오드 누설전류 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T1736389&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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