P형 GaN과 금속 박막(Pt, Pd)접합의 열처리에 따른 미세구조 변화를 XRD, TEM, SEM, EDS를 이용하여 조사하였다. 각 시료의 열처리는 RTA법으로 N₂ 분위기에서 30초 동안 400℃, 600℃, 800℃에서 수행되었다. Pt/p-GaN의 경우, 400℃이하에서 계면 미세구조 변화를 관찰할 수 없었고 60℃에서 Pt 결정립이 조대화하는 것을 확인하였다. 반면 800℃에서 금속 ...
P형 GaN과 금속 박막(Pt, Pd)접합의 열처리에 따른 미세구조 변화를 XRD, TEM, SEM, EDS를 이용하여 조사하였다. 각 시료의 열처리는 RTA법으로 N₂ 분위기에서 30초 동안 400℃, 600℃, 800℃에서 수행되었다. Pt/p-GaN의 경우, 400℃이하에서 계면 미세구조 변화를 관찰할 수 없었고 60℃에서 Pt 결정립이 조대화하는 것을 확인하였다. 반면 800℃에서 금속 박막 층내에 기공이 산재한 것과 확산에 의해 계면이 거칠어진 것을 관찰할 수 있었고 Pt 상층부에서 Ga-Pt 고용체를 형성한 것을 확인하였다. 또한 계면에서 재성장된 Pt 결정립을 관찰할 수 있었다. Pd/p-GaN의 경우, 400℃이하에서 미세 구조 변화를 관찰할 수 없었고 600℃에서 부분적으로 재배향된 Pd 결정립을 관찰할 수 있었으나 기판과의 반응은 관찰되지 않았다. 800℃에서 GaN의 격자 붕괴와 Pd의 확산에 의해 박막의 균일한 층 형태는 사라지고 Pd와 GaPd 중간화합물이 응집해 있는 것을 확인하였다. 계면은 거칠어져 있고 Pd 성분의 확산과 N₂의 방출로 보이는 기공이 형성되었고 기판이 노출된 부분도 관찰되었다.
P형 GaN과 금속 박막(Pt, Pd)접합의 열처리에 따른 미세구조 변화를 XRD, TEM, SEM, EDS를 이용하여 조사하였다. 각 시료의 열처리는 RTA법으로 N₂ 분위기에서 30초 동안 400℃, 600℃, 800℃에서 수행되었다. Pt/p-GaN의 경우, 400℃이하에서 계면 미세구조 변화를 관찰할 수 없었고 60℃에서 Pt 결정립이 조대화하는 것을 확인하였다. 반면 800℃에서 금속 박막 층내에 기공이 산재한 것과 확산에 의해 계면이 거칠어진 것을 관찰할 수 있었고 Pt 상층부에서 Ga-Pt 고용체를 형성한 것을 확인하였다. 또한 계면에서 재성장된 Pt 결정립을 관찰할 수 있었다. Pd/p-GaN의 경우, 400℃이하에서 미세 구조 변화를 관찰할 수 없었고 600℃에서 부분적으로 재배향된 Pd 결정립을 관찰할 수 있었으나 기판과의 반응은 관찰되지 않았다. 800℃에서 GaN의 격자 붕괴와 Pd의 확산에 의해 박막의 균일한 층 형태는 사라지고 Pd와 GaPd 중간화합물이 응집해 있는 것을 확인하였다. 계면은 거칠어져 있고 Pd 성분의 확산과 N₂의 방출로 보이는 기공이 형성되었고 기판이 노출된 부분도 관찰되었다.
The effect of rapid thermal annealing(heat treatment temperature) on the reactions of Pt(100Å) and Pd(1000Å) contacts to p-type GaN was investigated by XRD, TEM and EDS. Heat treatment was carried out 400℃, 600℃ and 800℃ by rapid thermal process under N₂ gas for sec. In the case of Pt/p-GaN samples,...
The effect of rapid thermal annealing(heat treatment temperature) on the reactions of Pt(100Å) and Pd(1000Å) contacts to p-type GaN was investigated by XRD, TEM and EDS. Heat treatment was carried out 400℃, 600℃ and 800℃ by rapid thermal process under N₂ gas for sec. In the case of Pt/p-GaN samples, as-deposited samples showed high degree of epitaxial relationship with respect to the substrate. No detectable reactions were found after RTA at up to 600℃, whereas GaN-Pt solid solution was observed at interfaces at 800℃. At 800℃, Pt layer was formed Ga-Pt solid solution and discrete voids and pure Pt grains was observed adjacent interfaces. In the case of Pd/GaN samples, morphology seems to be unaffected by the RTA at 400℃. At 600℃, TEM observation revealed the formation islands of 100nm in some regions of the Pd layer. When the temperature increased to 800℃, GaPd intermatallic compounds agglomeration and voids formation were observed. Also some substrate regions on GaN was exposed because of Pd elements movement.
The effect of rapid thermal annealing(heat treatment temperature) on the reactions of Pt(100Å) and Pd(1000Å) contacts to p-type GaN was investigated by XRD, TEM and EDS. Heat treatment was carried out 400℃, 600℃ and 800℃ by rapid thermal process under N₂ gas for sec. In the case of Pt/p-GaN samples, as-deposited samples showed high degree of epitaxial relationship with respect to the substrate. No detectable reactions were found after RTA at up to 600℃, whereas GaN-Pt solid solution was observed at interfaces at 800℃. At 800℃, Pt layer was formed Ga-Pt solid solution and discrete voids and pure Pt grains was observed adjacent interfaces. In the case of Pd/GaN samples, morphology seems to be unaffected by the RTA at 400℃. At 600℃, TEM observation revealed the formation islands of 100nm in some regions of the Pd layer. When the temperature increased to 800℃, GaPd intermatallic compounds agglomeration and voids formation were observed. Also some substrate regions on GaN was exposed because of Pd elements movement.
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