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NTIS 바로가기Si(100)-2×1 위에 도포한 Pb의 모습을 실온과 저온에서 scanning-tunneling microscopy (STM)으로 관찰하였다. Pb의 양이 0.2에서 1.5 원자층으로 증가함에 따라 변하는 (2×2), c(4×8) and c(4×4)의 표면 재구성(reconstruction)을 관찰하였다. 0.5 원자층 이하의 Pb를 Si기판 위에 성장시켰을 때 Pb dimer가 아래 있는 Si dimer row 사이의 trench에서만 형성되는 것이 아니라 Si dimer row 위에서도 형성됨을 알 수 있었다. 온도가 상승하면 표면 에너지 장벽을 넘어간 Pb dimer는 trench에서 일차원 p arallel dimer row를 형성하고 그 에너지 장벽을 극복하지 못한 Pb dimer는 Si dimer row 위에서 일차원 parallel dimer row를 형성한다. 또한 annealing 실험을 통하여 c(4×8) 구조가 2×1이나 2×2 구조보다 안정된 구조임과 Si 기판과 Pb이 반응하는 것을 알 수 있었다. 저온에서 전류유도 이동성 증가(current-induced ...
The behavior of Pb overlayer deposited on Si(100)-2×1 at room and low temperature was investigated by scanning-tunneling microscopy (STM). Surface reconstruction of (2×2), c(4×8) and c(4×4) was observed as Pb coverage increased from 0.2 to 1.5 monolayer. Below 0.5 monolayer Pb coverage, Pb dimer was...
저자 | 유미애 |
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학위수여기관 | 연세대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 물리 및 응용물리 |
발행연도 | 2001 |
총페이지 | v, 44p. |
키워드 | 원자조작, surface reconstruction, dimer, STM, Pb, Si(100), atomic manipulation |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T7910982&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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