우리는 제일원리 계산을 통하여 Si(111)1×1 표면에 SbMSb 그리고 MsbSiSb 로 끝나는 원자 구조 및 Si(100)2×1표면 위에 MSb (M는 Al, Ga 또는 In) 단층 또는 복수의 층을 가진 구조들의 에너지와 원자 구조를 분석하였다. 각각의 M 원자는 Si(111)1×1 표면에 SbMSb 와 MsbSiSb 로 끝나는 원자 구조의 에너지 차이가 Si(111)1×1 표면에 AsMAs 와 MAsSiAs 로 끝나는 원자 구조의 에너지 차이보다 작다. 각각의 M에서 Si(100)2×1:Sb는 Si(100)2×1, Si(100)2×1:Sb, Si(100)2×1(MSb) 그리고 Si(100)2×1:M 중 에너지상 가장 안정된 구조를 가지고 있다. Si(100) 표면 위에 얹은 복수의 층의 ...
우리는 제일원리 계산을 통하여 Si(111)1×1 표면에 SbMSb 그리고 MsbSiSb 로 끝나는 원자 구조 및 Si(100)2×1표면 위에 MSb (M는 Al, Ga 또는 In) 단층 또는 복수의 층을 가진 구조들의 에너지와 원자 구조를 분석하였다. 각각의 M 원자는 Si(111)1×1 표면에 SbMSb 와 MsbSiSb 로 끝나는 원자 구조의 에너지 차이가 Si(111)1×1 표면에 AsMAs 와 MAsSiAs 로 끝나는 원자 구조의 에너지 차이보다 작다. 각각의 M에서 Si(100)2×1:Sb는 Si(100)2×1, Si(100)2×1:Sb, Si(100)2×1(MSb) 그리고 Si(100)2×1:M 중 에너지상 가장 안정된 구조를 가지고 있다. Si(100) 표면 위에 얹은 복수의 층의 박막은 상대 표면 에너지가 더 높다. Si(100) 표면 위에 MSb가 올라간 구조는 M에 상관없이 금속적인(metallic) 특징을 갖는다. 반면에 Si(100) 표면 위에 MSb가 올라간 구조 중 일부는 반도체의 특징을 갖는다. 우리는 Si(100)2×1표면과 Si(100)2×4 표면 위의 In0.75Ga0.25Sb 에피레이어 (epilayer) 와 In0.75Ga0.25AsIn0.75Ga0.25Sb 에피레이어의 에너지를 비교하였다.
우리는 제일원리 계산을 통하여 Si(111)1×1 표면에 SbMSb 그리고 MsbSiSb 로 끝나는 원자 구조 및 Si(100)2×1표면 위에 MSb (M는 Al, Ga 또는 In) 단층 또는 복수의 층을 가진 구조들의 에너지와 원자 구조를 분석하였다. 각각의 M 원자는 Si(111)1×1 표면에 SbMSb 와 MsbSiSb 로 끝나는 원자 구조의 에너지 차이가 Si(111)1×1 표면에 AsMAs 와 MAsSiAs 로 끝나는 원자 구조의 에너지 차이보다 작다. 각각의 M에서 Si(100)2×1:Sb는 Si(100)2×1, Si(100)2×1:Sb, Si(100)2×1(MSb) 그리고 Si(100)2×1:M 중 에너지상 가장 안정된 구조를 가지고 있다. Si(100) 표면 위에 얹은 복수의 층의 박막은 상대 표면 에너지가 더 높다. Si(100) 표면 위에 MSb가 올라간 구조는 M에 상관없이 금속적인(metallic) 특징을 갖는다. 반면에 Si(100) 표면 위에 MSb가 올라간 구조 중 일부는 반도체의 특징을 갖는다. 우리는 Si(100)2×1표면과 Si(100)2×4 표면 위의 In0.75Ga0.25Sb 에피레이어 (epilayer) 와 In0.75Ga0.25AsIn0.75Ga0.25Sb 에피레이어의 에너지를 비교하였다.
We analyze the energetics and the atomic structures of SbMSb and MSbSiSb terminated Si(111)1×1 substrates and MSb monolayers or thicker layers on Si(100)2×1, where M is Al, Ga, or In, from first-principles. The calculated surface energies of SbMSb and MSbSiSb terminated Si(111) differ less than thos...
We analyze the energetics and the atomic structures of SbMSb and MSbSiSb terminated Si(111)1×1 substrates and MSb monolayers or thicker layers on Si(100)2×1, where M is Al, Ga, or In, from first-principles. The calculated surface energies of SbMSb and MSbSiSb terminated Si(111) differ less than those of AsMAs and MAsSiAs terminated Si(111), for each M. Si(100)2×1:Sb is the most stable for each M among Si(100)2×1, Si(100)2×1:Sb, Si(100)2×1:(MSb), and Si(100)2×1:M. The relative surface energies of thicker epitaxial overlayer films on Si(100) are larger. The MSb on Si(100) show metallic character for any M. While some of the MAs on Si(100) display semiconducting behavior. We study the epilayers of In0.75Ga0.25Sb and In0.75Ga0.25As on Si(100)2×1 and Si(100)2×4 and compare their energetics.
We analyze the energetics and the atomic structures of SbMSb and MSbSiSb terminated Si(111)1×1 substrates and MSb monolayers or thicker layers on Si(100)2×1, where M is Al, Ga, or In, from first-principles. The calculated surface energies of SbMSb and MSbSiSb terminated Si(111) differ less than those of AsMAs and MAsSiAs terminated Si(111), for each M. Si(100)2×1:Sb is the most stable for each M among Si(100)2×1, Si(100)2×1:Sb, Si(100)2×1:(MSb), and Si(100)2×1:M. The relative surface energies of thicker epitaxial overlayer films on Si(100) are larger. The MSb on Si(100) show metallic character for any M. While some of the MAs on Si(100) display semiconducting behavior. We study the epilayers of In0.75Ga0.25Sb and In0.75Ga0.25As on Si(100)2×1 and Si(100)2×4 and compare their energetics.
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