C₂F_6/O₂ICP를 이용한 SiC의 건식식각에 있어서 공정변수들이 식각특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 식각속도에 가장 영향이 큰 변수는 시료와 ICP코일사이의 거리, O₂첨가함량이었고 ICP 전력 및 Bias 전압의 상승에 따른 표면평탄도(RMS ruoughness)의 변화는 공정조건에 따라 큰 변화 경향을 나타내지 않았다. 결과적으로 60%O₂첨가조성, 900W의 ICP 전력, -400V 바이어스 전압, 8mTorr, 시료와 ICP 코일사이의 거리 6cm의 공정조건에서 분당 300nm의 최고 식각속도를 나타내었고 이때의 표면평탄도 및 수직도는 각각 0.8nm와 83° 를 나타내었으나 메사측벽 아래로 트랜치가 발생하는 문제점을 보였다. 60%O₂첨가조성, 800W의 ICP 전력, -200V 바이어스 전압, 8mTorr, 9cm의 조건에서 트랜치 효과가 저감되며 수직도 88° 이상의 충실한 패턴전이의 메사단면을 얻을 수 있었고 이때의 식각속도는 60nm/min(...
C₂F_6/O₂ICP를 이용한 SiC의 건식식각에 있어서 공정변수들이 식각특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 식각속도에 가장 영향이 큰 변수는 시료와 ICP코일사이의 거리, O₂첨가함량이었고 ICP 전력 및 Bias 전압의 상승에 따른 표면평탄도(RMS ruoughness)의 변화는 공정조건에 따라 큰 변화 경향을 나타내지 않았다. 결과적으로 60%O₂첨가조성, 900W의 ICP 전력, -400V 바이어스 전압, 8mTorr, 시료와 ICP 코일사이의 거리 6cm의 공정조건에서 분당 300nm의 최고 식각속도를 나타내었고 이때의 표면평탄도 및 수직도는 각각 0.8nm와 83° 를 나타내었으나 메사측벽 아래로 트랜치가 발생하는 문제점을 보였다. 60%O₂첨가조성, 800W의 ICP 전력, -200V 바이어스 전압, 8mTorr, 9cm의 조건에서 트랜치 효과가 저감되며 수직도 88° 이상의 충실한 패턴전이의 메사단면을 얻을 수 있었고 이때의 식각속도는 60nm/min(4H-SiC)이었다. 식각 후 O₂첨가효과 및 표면 성분을 분석하기 위해 AES분석을 실시하였다. 스테인리스 스틸 바이어스 전극 위에 SiO₂및 Anodized aluminum등 하부전극물질을 이용하여 이에 따른 식각특성 변화 및 메사모양의 변화와 TEM분석을 실시하였다.
C₂F_6/O₂ICP를 이용한 SiC의 건식식각에 있어서 공정변수들이 식각특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다. 식각속도에 가장 영향이 큰 변수는 시료와 ICP코일사이의 거리, O₂첨가함량이었고 ICP 전력 및 Bias 전압의 상승에 따른 표면평탄도(RMS ruoughness)의 변화는 공정조건에 따라 큰 변화 경향을 나타내지 않았다. 결과적으로 60%O₂첨가조성, 900W의 ICP 전력, -400V 바이어스 전압, 8mTorr, 시료와 ICP 코일사이의 거리 6cm의 공정조건에서 분당 300nm의 최고 식각속도를 나타내었고 이때의 표면평탄도 및 수직도는 각각 0.8nm와 83° 를 나타내었으나 메사측벽 아래로 트랜치가 발생하는 문제점을 보였다. 60%O₂첨가조성, 800W의 ICP 전력, -200V 바이어스 전압, 8mTorr, 9cm의 조건에서 트랜치 효과가 저감되며 수직도 88° 이상의 충실한 패턴전이의 메사단면을 얻을 수 있었고 이때의 식각속도는 60nm/min(4H-SiC)이었다. 식각 후 O₂첨가효과 및 표면 성분을 분석하기 위해 AES분석을 실시하였다. 스테인리스 스틸 바이어스 전극 위에 SiO₂및 Anodized aluminum등 하부전극물질을 이용하여 이에 따른 식각특성 변화 및 메사모양의 변화와 TEM분석을 실시하였다.
The reactive ion etching (RIE) process of SiC using C₂F_6/0₂ inductively coupled plasma (ICP) was investigated and characterized. The most important variable for etch rate is the distance between the substrate holder and the source coil and O₂ percentage in C₂F_6/O₂ and the change of RMS roughness a...
The reactive ion etching (RIE) process of SiC using C₂F_6/0₂ inductively coupled plasma (ICP) was investigated and characterized. The most important variable for etch rate is the distance between the substrate holder and the source coil and O₂ percentage in C₂F_6/O₂ and the change of RMS roughness as increasing ICP power and bias voltage do not shows just a little changes as a process conditions. Consequently, the maximum etch rate of 300nm/min was obtained at the condition of 60%O₂, 900W ICP power, -400V bias voltage, 8mTorr, 6㎝ in which RMS roughness of 0.8nm and verticality of 83 was also obtained, but shows growth of trench adjacent to sidewall. Mesa sidewall with Fine pattern transfer without trenching effect was obtained at the condition of 60%O₂, 800W ICP power, -200V bias voltage, 8mTorr, 9㎝, in which etch rate of 60nm/min was also obtained. AES and TEM analysis was performed to measure a plasma damage and etch residues. Using a lower electrode materials like as SiO₂, anodized aluminum on stainless steel holder, we analyzed a etch characteristics and etched mesa profile in terms of this effect.
The reactive ion etching (RIE) process of SiC using C₂F_6/0₂ inductively coupled plasma (ICP) was investigated and characterized. The most important variable for etch rate is the distance between the substrate holder and the source coil and O₂ percentage in C₂F_6/O₂ and the change of RMS roughness as increasing ICP power and bias voltage do not shows just a little changes as a process conditions. Consequently, the maximum etch rate of 300nm/min was obtained at the condition of 60%O₂, 900W ICP power, -400V bias voltage, 8mTorr, 6㎝ in which RMS roughness of 0.8nm and verticality of 83 was also obtained, but shows growth of trench adjacent to sidewall. Mesa sidewall with Fine pattern transfer without trenching effect was obtained at the condition of 60%O₂, 800W ICP power, -200V bias voltage, 8mTorr, 9㎝, in which etch rate of 60nm/min was also obtained. AES and TEM analysis was performed to measure a plasma damage and etch residues. Using a lower electrode materials like as SiO₂, anodized aluminum on stainless steel holder, we analyzed a etch characteristics and etched mesa profile in terms of this effect.
AI-Helper
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.