GaInN/GaN LEDs는 일반적으로 절연 기판을 사용하여 성장된 wafer를 사용하기 때문에 wafer 전면에 두 개의 전극을 형성하게 된다. 그래서 mesa edge 부근에서 전류가 편중현상과 소자의 전기적, 광학적 특성을 저하시킨다. 이러한 현상을 이용하여 최상의 전극구조 및 고출력 소자의 전극구조를 제작하고자 하였다. 또한 MicroSim PSpice 8.0 (Professional edge 부근에서 전류가 편중현상과 소자의 전기적, 광학적 특성을 저하시킨다. 이러한 현상을 이용하여 최상의 전극구조 및 고출력 소자의 전극구조를 제작하고자 하였다. 또한 MicroSim PSpice 8.0 (Professional Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)을 이용하여 R(resistance)과 D(ideal diode)로 등가화된 LED 구조를 시뮬레이션을 실시하였다. mesa edge에서 p-pad까지의 거리에 따라 전류 밀도와 전류 분포가 달라짐을 알 수 있었으며, 여러 가지 방법을 사용하여 거리를 변수로 조사한 결과 거리가 짧아질수록 높은 전류 밀도와 uniform한 전류분포를 가짐을 알 수 있었다. 특히 n-pad를 확장시켜 거리를 짧게 하였을 경우에 다른 어떤 경우보다 좋은 특성을 보였다. 실제 제작된 LED에서도 시뮬레이션과 비슷한 결과를 얻을 수 있었다. 6번의 전극구조가 다른 것들 보다 낮은 구동전압(VF=3.46V, IF=20㎃)을 가지며, 가장 높은 광도(730mcd)를 가졌다. 본 연구를 통하여 GaInN/GaN LED의 제작에 있어서 가장 효율적인 전극 구조를 설계하였다.
GaInN/GaN LEDs는 일반적으로 절연 기판을 사용하여 성장된 wafer를 사용하기 때문에 wafer 전면에 두 개의 전극을 형성하게 된다. 그래서 mesa edge 부근에서 전류가 편중현상과 소자의 전기적, 광학적 특성을 저하시킨다. 이러한 현상을 이용하여 최상의 전극구조 및 고출력 소자의 전극구조를 제작하고자 하였다. 또한 MicroSim PSpice 8.0 (Professional Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)을 이용하여 R(resistance)과 D(ideal diode)로 등가화된 LED 구조를 시뮬레이션을 실시하였다. mesa edge에서 p-pad까지의 거리에 따라 전류 밀도와 전류 분포가 달라짐을 알 수 있었으며, 여러 가지 방법을 사용하여 거리를 변수로 조사한 결과 거리가 짧아질수록 높은 전류 밀도와 uniform한 전류분포를 가짐을 알 수 있었다. 특히 n-pad를 확장시켜 거리를 짧게 하였을 경우에 다른 어떤 경우보다 좋은 특성을 보였다. 실제 제작된 LED에서도 시뮬레이션과 비슷한 결과를 얻을 수 있었다. 6번의 전극구조가 다른 것들 보다 낮은 구동전압(VF=3.46V, IF=20㎃)을 가지며, 가장 높은 광도(730mcd)를 가졌다. 본 연구를 통하여 GaInN/GaN LED의 제작에 있어서 가장 효율적인 전극 구조를 설계하였다.
GaInN/GaN LEDs(Light Emitting Diodes) are formed with two electrodes above the wafer which has grown using basically and insulating substrate. So, the electrical, optical characteristics can be decreased in vicinity of an edge of mesa as current crowding. To improve as that phenomena, we developed t...
GaInN/GaN LEDs(Light Emitting Diodes) are formed with two electrodes above the wafer which has grown using basically and insulating substrate. So, the electrical, optical characteristics can be decreased in vicinity of an edge of mesa as current crowding. To improve as that phenomena, we developed the structure of electrode, improve as that phenomena, we developed the structure of electrode, and using MicroSim PSpice 8.0(professional Simulation program with Integrated Circuit Emphasis), simulated the structure of LEDs that are equivalent circuit with R(resistance), D(ideal diode). As a distance between an edge of mesa and p-pad, we confirmed a change of the density of current, distribution of current. Therefore, as changing the distance using a number of methods, we knew that decreasing of distance has got a high current density and uniform current distribution. Especially, in case of a short distance as expanding a length of n-pad, the characteristics are best of all. Actually fabricated LEDs are similar to the simulation of LEDs on the results. We designed the best efficient structure of electrode on the fabrication of GaInN/GaN LED in this study.
GaInN/GaN LEDs(Light Emitting Diodes) are formed with two electrodes above the wafer which has grown using basically and insulating substrate. So, the electrical, optical characteristics can be decreased in vicinity of an edge of mesa as current crowding. To improve as that phenomena, we developed the structure of electrode, improve as that phenomena, we developed the structure of electrode, and using MicroSim PSpice 8.0(professional Simulation program with Integrated Circuit Emphasis), simulated the structure of LEDs that are equivalent circuit with R(resistance), D(ideal diode). As a distance between an edge of mesa and p-pad, we confirmed a change of the density of current, distribution of current. Therefore, as changing the distance using a number of methods, we knew that decreasing of distance has got a high current density and uniform current distribution. Especially, in case of a short distance as expanding a length of n-pad, the characteristics are best of all. Actually fabricated LEDs are similar to the simulation of LEDs on the results. We designed the best efficient structure of electrode on the fabrication of GaInN/GaN LED in this study.
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