자기정렬 공정으로 제작된 AlGaAs/GaAs HBT에서는 외부 베이스 표면과 이를 포장하고 있는 질화막 사이의 표면 재결합 상태의 불안정이 dc 특성 열화의 중요한 원인이 되고 있다. 본 논문에서는 AlGaAs/GaAs HBT의 열화 메커니즘을 분석하였고. InGaP ledge 에미터로 베이스 표면을 포장한 InGaP/GaAs HBT를 사용하여 표면 재결합 상태를 감소시킴으로써 신뢰도를 개선할 수 있었다. 가속수명 실험 결과, 비자기정렬 공정으로 제작된 InGaP/GaAs HBT의 경우 자기정렬 공정으로 제작된 AlGaAs/GaAs HBT에 비해 dc 특성 이 매우 안정하였으며, ...
자기정렬 공정으로 제작된 AlGaAs/GaAs HBT에서는 외부 베이스 표면과 이를 포장하고 있는 질화막 사이의 표면 재결합 상태의 불안정이 dc 특성 열화의 중요한 원인이 되고 있다. 본 논문에서는 AlGaAs/GaAs HBT의 열화 메커니즘을 분석하였고. InGaP ledge 에미터로 베이스 표면을 포장한 InGaP/GaAs HBT를 사용하여 표면 재결합 상태를 감소시킴으로써 신뢰도를 개선할 수 있었다. 가속수명 실험 결과, 비자기정렬 공정으로 제작된 InGaP/GaAs HBT의 경우 자기정렬 공정으로 제작된 AlGaAs/GaAs HBT에 비해 dc 특성 이 매우 안정하였으며, 활성화 에너지는 1.97eV, 평균실패시간은 140℃에서 4.8×10^(8)시간으로서 MILS를 만족하였다. 가속수명실험 초기 InGaP/GaAs HBT의 전류이득이 증가하는 현상이 나타났는데, 이를 burn-in 현상이라 한다. Burn-in 현상은 공정과정중 GaAs 베이스 영역에 포함된 H과 베이 스 도펀터인 C과 관련한 현상으로 추정되고 있다. 본 논문에서는 GaAs 베이스에 C 도핑된 InGaP/GaAs HBT를 여러 가지 온도 및 시간에서 RTA를 수행하여 H을 제거시킴으로써 C-H 결합과 분리에 따른 베이스 도핑농도 변화 등을 최소화시켰다. 이러한 burn-in 현상에 대한 해석은 C 도핑된 GaAs HBT의 신뢰도 분석과 향상에 좋은 자료가 될 것이다.
자기정렬 공정으로 제작된 AlGaAs/GaAs HBT에서는 외부 베이스 표면과 이를 포장하고 있는 질화막 사이의 표면 재결합 상태의 불안정이 dc 특성 열화의 중요한 원인이 되고 있다. 본 논문에서는 AlGaAs/GaAs HBT의 열화 메커니즘을 분석하였고. InGaP ledge 에미터로 베이스 표면을 포장한 InGaP/GaAs HBT를 사용하여 표면 재결합 상태를 감소시킴으로써 신뢰도를 개선할 수 있었다. 가속수명 실험 결과, 비자기정렬 공정으로 제작된 InGaP/GaAs HBT의 경우 자기정렬 공정으로 제작된 AlGaAs/GaAs HBT에 비해 dc 특성 이 매우 안정하였으며, 활성화 에너지는 1.97eV, 평균실패시간은 140℃에서 4.8×10^(8)시간으로서 MILS를 만족하였다. 가속수명실험 초기 InGaP/GaAs HBT의 전류이득이 증가하는 현상이 나타났는데, 이를 burn-in 현상이라 한다. Burn-in 현상은 공정과정중 GaAs 베이스 영역에 포함된 H과 베이 스 도펀터인 C과 관련한 현상으로 추정되고 있다. 본 논문에서는 GaAs 베이스에 C 도핑된 InGaP/GaAs HBT를 여러 가지 온도 및 시간에서 RTA를 수행하여 H을 제거시킴으로써 C-H 결합과 분리에 따른 베이스 도핑농도 변화 등을 최소화시켰다. 이러한 burn-in 현상에 대한 해석은 C 도핑된 GaAs HBT의 신뢰도 분석과 향상에 좋은 자료가 될 것이다.
For the self-aligned AIGaAs/GaAs HBTs, the instability the surface states at the interface between the extrinsic base surface and the passivation nitride is a major cause of degradation of do characteristics. In this paper the degradation mechanisms of self-aligned AlGaAs/GaAs HBT were analyzed, and...
For the self-aligned AIGaAs/GaAs HBTs, the instability the surface states at the interface between the extrinsic base surface and the passivation nitride is a major cause of degradation of do characteristics. In this paper the degradation mechanisms of self-aligned AlGaAs/GaAs HBT were analyzed, and GaAs HBTs, which employed an InGaP ledge emitter structure formed by the nonself-aligned process to cover the surface of the extrinsic base and reduce the surface states, produced high reliability. According to the acceleration lifetime test, the nonself-aligned InGaP/GaAs HBTs produced very reliable dc characteristics comparing with the self-aligned AlGaAs/GaAs HBTs. The activation energy was 1.97 eV and MTTF 4.8×10^(8) hrs at 140 ℃, which satisfied the MIL standard. As an initial result of applying an electrical stress, the increase of the dc current gain has been shown for InGaP/GaAs HBTs, which employed carbon as base dopant: this phenomenon is known as the burn-in effect. A few carbon atoms are usually passivated by hydrogen and form C-H complexes and the debonding of H from C impurities for the decrease of the current gain during the stress test. In this paper, using RTA hydrogen can be annealed out of the GaAs base, activating the carbon acceptors. This investigation about burn-in effects should be a good data for the reliability analysis and improvement of C-doped CaAs HBTs.
For the self-aligned AIGaAs/GaAs HBTs, the instability the surface states at the interface between the extrinsic base surface and the passivation nitride is a major cause of degradation of do characteristics. In this paper the degradation mechanisms of self-aligned AlGaAs/GaAs HBT were analyzed, and GaAs HBTs, which employed an InGaP ledge emitter structure formed by the nonself-aligned process to cover the surface of the extrinsic base and reduce the surface states, produced high reliability. According to the acceleration lifetime test, the nonself-aligned InGaP/GaAs HBTs produced very reliable dc characteristics comparing with the self-aligned AlGaAs/GaAs HBTs. The activation energy was 1.97 eV and MTTF 4.8×10^(8) hrs at 140 ℃, which satisfied the MIL standard. As an initial result of applying an electrical stress, the increase of the dc current gain has been shown for InGaP/GaAs HBTs, which employed carbon as base dopant: this phenomenon is known as the burn-in effect. A few carbon atoms are usually passivated by hydrogen and form C-H complexes and the debonding of H from C impurities for the decrease of the current gain during the stress test. In this paper, using RTA hydrogen can be annealed out of the GaAs base, activating the carbon acceptors. This investigation about burn-in effects should be a good data for the reliability analysis and improvement of C-doped CaAs HBTs.
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