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NTIS 바로가기전하트랩형 NVSM(NonVolatile Semiconductor Memory)뿐 아니라 계면 안정성과 0.25μm이하의 ULSI(Ultra Large Scale Integration)급 소자의 보론 침투를 막기 위한 게이트 유전막을 제작하기 위해서 급속 열처리 방법으로 N₂O와 O₂를 사용한 재산화된 산화질화막을 제작하고 기억 특성 및 신뢰성을 조사하였다. 초박막 산화질화막은 N₂O 분위기에서 급속 열처리 방법으로 실리콘 기판위에 성장되었다. ...
저자 | 박승진 |
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학위수여기관 | 광운대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자재료공학과 |
발행연도 | 2001 |
총페이지 | viii, 44 p. |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T8885633&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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