GaN의 결정결함이 전기적 구조적 광학적 특성에 미치는 영향에 대해 많은 연구를 수행하였다. 높은 결정결함의 GaN은 소자의 특성과 성능에 큰 영향을 미치고 있다. 또한 p-n 다이오드에서 역 전압 leakage current가 결정결함 밀도가 많은 지역보다 3배 더 크게 나타났다. 7×10^8cm^(-2)에서 6.4×10^9cm^(-2)까지의 결함밀도를 가지는 GaN LED 시료를 PL, Raman, XRD로 연구해보았다.(상온에서 PL에 MQW의 발광 피크의 세기가 결함밀도와 크게 관계를 보이고 있다.), (측정 data에 약간의 scatter가 있지만 전체적으로 결함밀도가 증가할수록 ...
GaN의 결정결함이 전기적 구조적 광학적 특성에 미치는 영향에 대해 많은 연구를 수행하였다. 높은 결정결함의 GaN은 소자의 특성과 성능에 큰 영향을 미치고 있다. 또한 p-n 다이오드에서 역 전압 leakage current가 결정결함 밀도가 많은 지역보다 3배 더 크게 나타났다. 7×10^8cm^(-2)에서 6.4×10^9cm^(-2)까지의 결함밀도를 가지는 GaN LED 시료를 PL, Raman, XRD로 연구해보았다.(상온에서 PL에 MQW의 발광 피크의 세기가 결함밀도와 크게 관계를 보이고 있다.), (측정 data에 약간의 scatter가 있지만 전체적으로 결함밀도가 증가할수록 엑시톤 피크의 세기가 감소하고 position 에너지가 감소하였다. 라만은 결함밀도가 증가할수록 E2 피크의 포지션이 낮은 frequency로 이동과 FWHM의 증가를 보여주고 있다. HRXRD(0002)의 반치폭은 결정결함이 증가할수록 커지는 것을 알 수 있다. 이러한 TEM, PL, Raman, HRXRD 등의 측정방법을 이용한 LED 구조 GaN 결함밀도측정은 LED 구조는 다르지만 일반적으로 결함밀도에 따라 상호관계를 보여주었다.
GaN의 결정결함이 전기적 구조적 광학적 특성에 미치는 영향에 대해 많은 연구를 수행하였다. 높은 결정결함의 GaN은 소자의 특성과 성능에 큰 영향을 미치고 있다. 또한 p-n 다이오드에서 역 전압 leakage current가 결정결함 밀도가 많은 지역보다 3배 더 크게 나타났다. 7×10^8cm^(-2)에서 6.4×10^9cm^(-2)까지의 결함밀도를 가지는 GaN LED 시료를 PL, Raman, XRD로 연구해보았다.(상온에서 PL에 MQW의 발광 피크의 세기가 결함밀도와 크게 관계를 보이고 있다.), (측정 data에 약간의 scatter가 있지만 전체적으로 결함밀도가 증가할수록 엑시톤 피크의 세기가 감소하고 position 에너지가 감소하였다. 라만은 결함밀도가 증가할수록 E2 피크의 포지션이 낮은 frequency로 이동과 FWHM의 증가를 보여주고 있다. HRXRD(0002)의 반치폭은 결정결함이 증가할수록 커지는 것을 알 수 있다. 이러한 TEM, PL, Raman, HRXRD 등의 측정방법을 이용한 LED 구조 GaN 결함밀도측정은 LED 구조는 다르지만 일반적으로 결함밀도에 따라 상호관계를 보여주었다.
Many investigations have been performed on the influence of threading dislocations on the electrical, optical, and structural properties of the GaN, high dislocations densities influence the device characteristic and performance. It found that reverse bias leakage current of p-n junction diodes was ...
Many investigations have been performed on the influence of threading dislocations on the electrical, optical, and structural properties of the GaN, high dislocations densities influence the device characteristic and performance. It found that reverse bias leakage current of p-n junction diodes was three orders of magnitude larger than that in the high dislocation density region. GaN LED dislocation ranging from∼7×10^8cm^(-2) to 6.4×10^9cm^(-2) density were investigated by TEM, PL(photoluminescence), Raman(Raman spectroscopy, HRXRD, the PL MQW emission peak intensity at RT has strong correlation with the dislocation density, the excition peak intensity decreases and the position shifts to lower energy as the dislocation density increases, while the data are still substantially scattered. Position of the Raman E2 peak shifts toward lower frequency and the FWHM increases as the dislocation density increases. FWHM(0002) of the HRXRD increases as the dislocation density increases. LED structure GaN dislocation density measurement using TEM, PL, Raman, HRXRD was related to the dislocation density, despite the substantial difference in the LED structure.
Many investigations have been performed on the influence of threading dislocations on the electrical, optical, and structural properties of the GaN, high dislocations densities influence the device characteristic and performance. It found that reverse bias leakage current of p-n junction diodes was three orders of magnitude larger than that in the high dislocation density region. GaN LED dislocation ranging from∼7×10^8cm^(-2) to 6.4×10^9cm^(-2) density were investigated by TEM, PL(photoluminescence), Raman(Raman spectroscopy, HRXRD, the PL MQW emission peak intensity at RT has strong correlation with the dislocation density, the excition peak intensity decreases and the position shifts to lower energy as the dislocation density increases, while the data are still substantially scattered. Position of the Raman E2 peak shifts toward lower frequency and the FWHM increases as the dislocation density increases. FWHM(0002) of the HRXRD increases as the dislocation density increases. LED structure GaN dislocation density measurement using TEM, PL, Raman, HRXRD was related to the dislocation density, despite the substantial difference in the LED structure.
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