최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기SIA road map의 보고에 따르면 향후 2010년경에는 50nm 급 소자가 개발되리라고 예측한다. 그러나 현재까지 사용중인 Silicon dioxide의 경우, direct tunneling에 의한 허용치 이상의 누설전류가 발생하여 2.0nm이하에서는 소자 적용이 어려워 향후 50nm 이하급에서는 SiO_(2)이외의 다른 물질로의 대체 절연막 개발은 반도체 기술의 계속적인 발전을 위해 필수적이다. [1,2] 현재까지 많은 high-k물질들이 대체 절연막으로 연구 중에 있으며, 이중 TiO_(2), Ta-(2)O_(5)등과 같은 단순 ...
저자 | 공성호 |
---|---|
학위수여기관 | 國民大學校 大學院 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 신소재공학과 |
발행연도 | 2003 |
총페이지 | iii, 35p. |
키워드 | 게이트 절연막 Zr 복합금속산화물 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T9392744&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.