[특허]이중층 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/786 H01L-021/8234
출원번호	10-2015-0121445 (2015-08-28)
공개번호	10-2017-0025248 (2017-03-08)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020150121445
발명자 / 주소	김명운 / 대전광역시 유성구 대덕대로 * (도룡동, 로덴하우스아파트) 동 *호 박만영 / 대전광역시 유성구 배울로 (관평동, 신동아파밀리에) 동 *호 정재경 / 서울특별시 강서구 화곡로길 * (화곡동, 화곡푸르지오) 동 *호 도이미 / 대전광역시 유성구 배울로 * (용산동, 대덕테크노밸리단지아파트) **동 호 김현관 / 세종특별자치시 만남로 (고운동, 가락마을 단지) **동 호 오재원 / 대전광역시 서구 배재로 (도마동, 대아아파트) 동 ***호
출원인 / 주소	(주)디엔에프 / 대전광역시 대덕구 대화로*번길 * (대화동)
대리인 / 주소	특허법인 플러스
심사청구여부	있음 (2015-08-28)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록

본 발명은 구동 및 스위칭 동작을 수행하는 이중층 게이트형 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 저온의 습식 공정을 통해 제조된 이중층 게이트 절연막을 포함함으로써, 높은 이동도 뿐 아니라 향상된 서브문턱 게이트 스윙, 문턱 전압 및 전류의 온/오프 비율을 가지는 이중층 게이트형 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.

대표청구항 ▼

인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf), 갈륨(Ga) 및 타이타늄(Ti)에서 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 활성층;상기 활성층 일면에 배치되는 실리콘 산화물을 포함하는 하부 게이트 절연막과 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti) 및 란터넘(La)에서 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 포함하고, 상기 하부 게이트 절연막의 상부에 배치되는 상부 게이트 절연막을 가지는 이중층 게이트 절연막;상기 이중층 게이트 절연막의 일면에 배치되고, 상기 활성층의 일부 또는 전부와 중첩되는 게이트 도전막; 및상기 활성층의 양 측부에 배치되는 소오스 및 드레인 전극들;을 포함하고, 상기 하부 게이트 절연막과 상부 게이트 절연막은 각각 150 내지 300 ℃ 범위에서 어닐링하여 제조되는 것을 특징으로 하는 이중층 게이트형 박막 트랜지스터.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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