본 논문에서는 C-Band WLAN용 RF수신 모듈인 저 잡음증폭기(LNA), 하향 주파수 혼합기 (Down Mixer), 전압제어 발진기(VCO)를 SiGe HBT MMIC로 설계, 제작, 측정, 분석 하였다. 내부 연결선을 ground shield micro strip Line 구조로 하여 절연성이 약한 실리콘 기판의 누설 전류를 줄이도록 하였다. 국내의 Tachyonics사와 세계적 수준의 STMicroelectronics사의 SiGe HBT MMIC 공정을 이용한 MMIC의 제작은 C-Band 대역의 SiGe HBT MMIC 국내 제작 가능성을 보여주었다. Common-emitter와 emitter-follower로 구성된 2단 저 잡음 증폭기는 4.7 dB 의 잡음 지수를 얻었으며, by-pass 기능이 포함된 common-emitter구조의 2 단 증폭기는 13.2 dB의 선형 전력 이득을 얻었다. 차동 형 ...
본 논문에서는 C-Band WLAN용 RF수신 모듈인 저 잡음증폭기(LNA), 하향 주파수 혼합기 (Down Mixer), 전압제어 발진기(VCO)를 SiGe HBT MMIC로 설계, 제작, 측정, 분석 하였다. 내부 연결선을 ground shield micro strip Line 구조로 하여 절연성이 약한 실리콘 기판의 누설 전류를 줄이도록 하였다. 국내의 Tachyonics사와 세계적 수준의 STMicroelectronics사의 SiGe HBT MMIC 공정을 이용한 MMIC의 제작은 C-Band 대역의 SiGe HBT MMIC 국내 제작 가능성을 보여주었다. Common-emitter와 emitter-follower로 구성된 2단 저 잡음 증폭기는 4.7 dB 의 잡음 지수를 얻었으며, by-pass 기능이 포함된 common-emitter구조의 2 단 증폭기는 13.2 dB의 선형 전력 이득을 얻었다. 차동 형 전압제어 발진기로 구동시킨 Gilbert 혼합기 구조의 이중평형 하향 주파수 혼합기는 3 dB의 차동 변환 이득을 얻었다. 내부에 emitter-follower 완충증폭기가 포함된 차동 전압 제어 발진기는 4.7 GHz에서 -2.3 dBm 의 출력전력을 얻었다.
본 논문에서는 C-Band WLAN용 RF수신 모듈인 저 잡음증폭기(LNA), 하향 주파수 혼합기 (Down Mixer), 전압제어 발진기(VCO)를 SiGe HBT MMIC로 설계, 제작, 측정, 분석 하였다. 내부 연결선을 ground shield micro strip Line 구조로 하여 절연성이 약한 실리콘 기판의 누설 전류를 줄이도록 하였다. 국내의 Tachyonics사와 세계적 수준의 STMicroelectronics사의 SiGe HBT MMIC 공정을 이용한 MMIC의 제작은 C-Band 대역의 SiGe HBT MMIC 국내 제작 가능성을 보여주었다. Common-emitter와 emitter-follower로 구성된 2단 저 잡음 증폭기는 4.7 dB 의 잡음 지수를 얻었으며, by-pass 기능이 포함된 common-emitter구조의 2 단 증폭기는 13.2 dB의 선형 전력 이득을 얻었다. 차동 형 전압제어 발진기로 구동시킨 Gilbert 혼합기 구조의 이중평형 하향 주파수 혼합기는 3 dB의 차동 변환 이득을 얻었다. 내부에 emitter-follower 완충증폭기가 포함된 차동 전압 제어 발진기는 4.7 GHz에서 -2.3 dBm 의 출력전력을 얻었다.
In this paper, Silicon germanium hetero-junction bi-polar transistor (SiGe HBT) monolithic microwave integrated circuits (MMIC) i.e. low noise amplifier (LNA), double balanced down converting mixer (down-mixer), voltage controlled oscillator (VCO), are designed, fabricated, measured and analyzed as ...
In this paper, Silicon germanium hetero-junction bi-polar transistor (SiGe HBT) monolithic microwave integrated circuits (MMIC) i.e. low noise amplifier (LNA), double balanced down converting mixer (down-mixer), voltage controlled oscillator (VCO), are designed, fabricated, measured and analyzed as components of RF receiver module for the C-band wireless local area network(WLAN) applications. Inter-connection lines are established over ground shield micro strip structured layer to reduce the leakage current of low resistive silicon substrates. The SiGe HBT MMIC foundries provided by Tachyonics and ST Microelectronics are used to demonstrate the feasibilities of domestic and world-wide SiGe HBT MMIC technology for the C-band applications. A common-emitter LNA is cascaded with an emitter- follower to achieve a 4.7 dB noise figure. The cascade two stage common-emitter LNA with by-pass capability achieves a linear gain of 13.2 dB. The Gilbert type double balanced down-mixer which is pumped by the differential VCO produces a 3 dB conversion gain. The differential VCO has an internal emitter follower buffer to generate a single ended output power of -2.3 dBm at 4.7 GHz.
In this paper, Silicon germanium hetero-junction bi-polar transistor (SiGe HBT) monolithic microwave integrated circuits (MMIC) i.e. low noise amplifier (LNA), double balanced down converting mixer (down-mixer), voltage controlled oscillator (VCO), are designed, fabricated, measured and analyzed as components of RF receiver module for the C-band wireless local area network(WLAN) applications. Inter-connection lines are established over ground shield micro strip structured layer to reduce the leakage current of low resistive silicon substrates. The SiGe HBT MMIC foundries provided by Tachyonics and ST Microelectronics are used to demonstrate the feasibilities of domestic and world-wide SiGe HBT MMIC technology for the C-band applications. A common-emitter LNA is cascaded with an emitter- follower to achieve a 4.7 dB noise figure. The cascade two stage common-emitter LNA with by-pass capability achieves a linear gain of 13.2 dB. The Gilbert type double balanced down-mixer which is pumped by the differential VCO produces a 3 dB conversion gain. The differential VCO has an internal emitter follower buffer to generate a single ended output power of -2.3 dBm at 4.7 GHz.
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