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NTIS 바로가기등록일자 | 2002-01-28 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/40394 |
원문 | http://www.micromagazine.com/archive/01/07/dupuis.html |
1. 자료명: SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT)
2. 저자: Mark D. Dupuis외 6인 (IBM Microelectronics Division)
3. 출판사: Micro Magazine.com
4. 출판날짜: 2001년 7/8월
5. 내용소개:
본 자료는 반도체 관련 기술중에서 공정제어, 수율향상, defect 저감기술 등에 주로 중점을 두는 Micro magazine에 수록된 article이다. 저자들은 IBM의 Microelect
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