DRAM이 가지는 정보 쓰고 읽기의 고속성과 무제한성 및 고집적화, 플래시 메모리의 비휘발성 등의 장점을 고루 갖춘 이상적인 메모리로서 현재 가장 유망시 되는 디바이스가 FRAM이다. FRAM은 간단히 말해 DRAM 각 셀의 커패시터유전체를 강유전 박막으로 대체한 것이기 때문에 (i) DRAM 공정과 호환성이 높아 쉽게 고집적화가 가능하며, (ii) 정보의 쓰기, 소거가 고속이고, (iii) 기억이 비휘발성이며, (iv) 쓰기 횟수에 제한이 없고, (v) 소비전력이 작은 등 이상적인 메모리의 특성을 고루 갖추고 있어, 흔히들 “꿈의 기억소자”라 부르고 있다. 간단히 FRAM은 “고속이며, 소비전력이 적고, 반복 수명이 긴 비휘발성의 DRAM이다” 라고 말할 수 있다. 멀티미디어 사회에서 요구되는 이상적 메모리인 FRAM을 실현하기 위해서는 ...
DRAM이 가지는 정보 쓰고 읽기의 고속성과 무제한성 및 고집적화, 플래시 메모리의 비휘발성 등의 장점을 고루 갖춘 이상적인 메모리로서 현재 가장 유망시 되는 디바이스가 FRAM이다. FRAM은 간단히 말해 DRAM 각 셀의 커패시터유전체를 강유전 박막으로 대체한 것이기 때문에 (i) DRAM 공정과 호환성이 높아 쉽게 고집적화가 가능하며, (ii) 정보의 쓰기, 소거가 고속이고, (iii) 기억이 비휘발성이며, (iv) 쓰기 횟수에 제한이 없고, (v) 소비전력이 작은 등 이상적인 메모리의 특성을 고루 갖추고 있어, 흔히들 “꿈의 기억소자”라 부르고 있다. 간단히 FRAM은 “고속이며, 소비전력이 적고, 반복 수명이 긴 비휘발성의 DRAM이다” 라고 말할 수 있다. 멀티미디어 사회에서 요구되는 이상적 메모리인 FRAM을 실현하기 위해서는 강유전체 재료 기술 및 반도체 제조 공정 기술이 뒷받침되어야 한다. 이러한 메모리에 응용되는 강유전체 재료 중 현재 많은 연구가 진행되고 있는 물질로는 PZT와 SBT가 있으나, PZT는 취약한 피로특성을 갖는 것으로 보고되고 있으며, 이에 비해 SBT는 1012회 이상의 전압인가에서도 피로현상이 관찰되지 않아 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 논문에서는 강유전체 물질인 SBT의 특성을 연구하고 박막 증착이 용이한 RF (Radio - Frequency) 스퍼터링 방법을 이용한 SBT 박막 제조 방법을 소개했으며 SBT 박막의 전기적 특성을 측정하여 실제로 FRAM 소자 제작에 사용될 수 있는지를 조사하였다.
DRAM이 가지는 정보 쓰고 읽기의 고속성과 무제한성 및 고집적화, 플래시 메모리의 비휘발성 등의 장점을 고루 갖춘 이상적인 메모리로서 현재 가장 유망시 되는 디바이스가 FRAM이다. FRAM은 간단히 말해 DRAM 각 셀의 커패시터 유전체를 강유전 박막으로 대체한 것이기 때문에 (i) DRAM 공정과 호환성이 높아 쉽게 고집적화가 가능하며, (ii) 정보의 쓰기, 소거가 고속이고, (iii) 기억이 비휘발성이며, (iv) 쓰기 횟수에 제한이 없고, (v) 소비전력이 작은 등 이상적인 메모리의 특성을 고루 갖추고 있어, 흔히들 “꿈의 기억소자”라 부르고 있다. 간단히 FRAM은 “고속이며, 소비전력이 적고, 반복 수명이 긴 비휘발성의 DRAM이다” 라고 말할 수 있다. 멀티미디어 사회에서 요구되는 이상적 메모리인 FRAM을 실현하기 위해서는 강유전체 재료 기술 및 반도체 제조 공정 기술이 뒷받침되어야 한다. 이러한 메모리에 응용되는 강유전체 재료 중 현재 많은 연구가 진행되고 있는 물질로는 PZT와 SBT가 있으나, PZT는 취약한 피로특성을 갖는 것으로 보고되고 있으며, 이에 비해 SBT는 1012회 이상의 전압인가에서도 피로현상이 관찰되지 않아 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 논문에서는 강유전체 물질인 SBT의 특성을 연구하고 박막 증착이 용이한 RF (Radio - Frequency) 스퍼터링 방법을 이용한 SBT 박막 제조 방법을 소개했으며 SBT 박막의 전기적 특성을 측정하여 실제로 FRAM 소자 제작에 사용될 수 있는지를 조사하였다.
New material such as ferroelectric materials is required for some special applications since superior characteristics can be achieved in electronic devices and memory devices FRAM. PZT/Ferrite ceramics were made by the making process using PZT powder and garnet ferrite powder. After making samples, ...
New material such as ferroelectric materials is required for some special applications since superior characteristics can be achieved in electronic devices and memory devices FRAM. PZT/Ferrite ceramics were made by the making process using PZT powder and garnet ferrite powder. After making samples, we are polishing samples until thickness is 0.1 ~ 0.2mm. This thesis presents the results on the fabrication of ferroelectric thin films by pulsed laser deposition (PLD) technique. And I measured samples in room temperature and applied magnetic field from -4500 to 4500 Oersted. P-E hysteresis loop measurement of PZT/Ferrite ceramics were carried out from 100~1000Hz using the 1pC resolution electrometer calibrated with pulse tester. From this measurement, we can calculate tunability of these samples using C value obtained from P-E loop.
New material such as ferroelectric materials is required for some special applications since superior characteristics can be achieved in electronic devices and memory devices FRAM. PZT/Ferrite ceramics were made by the making process using PZT powder and garnet ferrite powder. After making samples, we are polishing samples until thickness is 0.1 ~ 0.2mm. This thesis presents the results on the fabrication of ferroelectric thin films by pulsed laser deposition (PLD) technique. And I measured samples in room temperature and applied magnetic field from -4500 to 4500 Oersted. P-E hysteresis loop measurement of PZT/Ferrite ceramics were carried out from 100~1000Hz using the 1pC resolution electrometer calibrated with pulse tester. From this measurement, we can calculate tunability of these samples using C value obtained from P-E loop.
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