초록 ▼

1. Resistance Random Access Memory (RRAM)에 적용 가능한 NiO 계열 박막들에 대해서, 양성자 빔 조사 전·후에 current level과 switching voltage distribution의 변화 거동 조사.
2. RRAM용 물질이 가지는 가장 심각한 신뢰성 문제를 해결하는 방법을 모색하여 산업적으로 기여함과 동시에 RRAM용 물질에서의 전도성 전이 특성의 원인 규명에도 좋은 실험적 database를 제공하여 학술적으로도 지대한 공헌을 하게 될 것으로 기대.
3. 양성자 빔의 조사 후

1. Resistance Random Access Memory (RRAM)에 적용 가능한 NiO 계열 박막들에 대해서, 양성자 빔 조사 전·후에 current level과 switching voltage distribution의 변화 거동 조사.
2. RRAM용 물질이 가지는 가장 심각한 신뢰성 문제를 해결하는 방법을 모색하여 산업적으로 기여함과 동시에 RRAM용 물질에서의 전도성 전이 특성의 원인 규명에도 좋은 실험적 database를 제공하여 학술적으로도 지대한 공헌을 하게 될 것으로 기대.
3. 양성자 빔의 조사 후에 NiO 박막의 경우에는 전체적으로 current가 증가하는 경향을 보이며, Ti-doped NiO 박막의 경우에는 current의 변화는 매우 작은 것을 확인.
4. 다양한 조건의 양성자 빔 조사 후에 Ti-doped NiO 박막의 경우에 voltage distribution이 줄어드는 경향을 확인.

Abstract ▼

In this project, we have investigated the effect of proton beam irradiation on current level and switching voltage distribution of NiO-related films which have been widely studied since they are good candidate materials applicable to resistance random access memory (RRAM).
- Among several reliabi

In this project, we have investigated the effect of proton beam irradiation on current level and switching voltage distribution of NiO-related films which have been widely studied since they are good candidate materials applicable to resistance random access memory (RRAM).
- Among several reliability problems hindering the realization of RRAM using NiO-related films, high current level and high distribution in switching voltage are the most critical ones. Therefore, development for processing methods solving the reliability problems is industrially important and also provides a clue to mechanism for conductivity switching.
- According to our experimental results, proton beam irradiation affects current level and switching voltage distribution of NiO-related films. Therefore, we can easily expect that careful control of proton beam irradiation will suggest process conditions free from the reliability problems.
- By systematically investigating change in properties of NiO-related films induced by irradiation of electron or neutron beams as well as proton beam, we will be able to find optimum processing condition and present a good example for industrial application of large irradiation facilities.

목차 Contents

• 표지...1
• 제출문...2
• 보고서 초록...3
• 요약문...4
• SUMMARY...6
• CONTENTS...7
• 목차...8
• 제 1 장 연구개발과제의 개요...9
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황...10
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...11
• 제 4 장 목표달성도...21
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...25
• 제 6 장 참고문헌...26