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학위논문 상세정보

SONOS(Silicon/Oxide-Nitride-Oxide/Si)구조의 ONO 제조 및 그 전기적 특성에 관한 연구

(A) study on ONO manufacturing of SONOS (Silicon/Oxide-Nitride-Oxide/Si) structure and its electric properties


이계훈 (연세대학교 공학대학원 재료공학전공 국내석사)
초록

본 연구는 SONOS (Silicon/Oxide-Nitride-Oxide/Polysilicon) 구조의 ONO 제조 및 그 전기적 특성을 개선시키는 방법에 관한 것으로 ONO막질의 제조 방법에 주안점을 두고 실험을 전개하고, 이를 근거로 ONO막질에 따른 소자의 전기적 특성을 향상시키고자 하였다. 이를 위하여 소자의 전기적 특성 및 수명에 영향을 주는 인자인 ONO막질에서 터널링 산화막(Tunneling Oxide : SiO2)의 두께나 터널링 산화막 상의 트랩 전하 저장층(질화막 : Si3N4) 두께, 블로킹 절연막(산화막 : S...

Abstract

The purpose of this study was to manufacture the ONO of SONOS (Silicon/Oxide-Nitride-Oxide/Polysilicon) structure and improve its electric properties. For this purpose, the researcher focused on the methods of manufacturing the ONO membrane and tested them to improve the electric properties of the c...

주제어

#터널링 절연막;전하 저장층;산화막(SiO2);질화막(Si3N4);패터닝;비 휘발성 메모리;이온주입;SONOS;tunneling oxide;electric charge storage;SiO2;Si3N4;patterning;non-volatile memory;ion implantation;

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음
저자 이계훈
학위수여기관 연세대학교 공학대학원
학위구분 국내석사
학과 재료공학전공
지도교수 고대홍
발행년도 2006
총페이지 viii, 80장
키워드 터널링 절연막, 전하 저장층, 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4), 패터닝, 비 휘발성 메모리, 이온주입, SONOS, tunneling oxide, electric charge storage, SiO2, Si3N4, patterning, non-volatile memory, ion implantation
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10503890&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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DOI 인용 스타일