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NTIS 바로가기주관연구기관 | 충남대학교 Chungnam National University |
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연구책임자 | 이가원 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-06 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201300018778 |
과제고유번호 | 1345150269 |
사업명 | 여성과학자지원사업 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
본 연구의 목표는 차세대 고성능 SONOS 플래쉬 메모리 개발 및 평가 방법 수립을 통한 동작 및 열화 메커니즘 규명이다. program/erase speed, data retention 특성 및 신뢰성이 우수한 고성능 SONOS 메모리 제작을 위해 Charge trapping layer로 사용되는 실리콘 질화막의 대체 물질로 다양한 고유전체 물질을 적용하고자 하였다. 또한 tunneling layer를 중심으로 새로운 공정을 도입하여 최적 조건에 대한 실험을 진행하는 것을 계획하였다. 이와 함께 비례 축소에 용이한 3차원의 새로운
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