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학위논문 상세정보

극자외선 리소그래피 하부 무반사층용 fluorinated silicon nitride 박막의 제조 및 특성분석

Fabrication and characterization of fluorinated silicon nitride thin film for the bottom antireflective layer in deep ultraviolet lithography


전병혁 (한국과학기술원 재료공학과 국내박사)
초록

비정질 fluorinated silicon nitride 박막을 유도 커플링 플라즈마에 의하여 SiH4, N2, Ar 그리고 NF3 기체를 이용하여 Si과 fused silica 기판위에 기체 유량비와 RF 파워를 변화시켜가며 제조하였다. 0.25 마이크론 광 리소그라피 공정에서 하부 무반사층으로의 응용성이 연구되었고 증착 변수에 따른 절대 조성, 산화 기구 그리고 광학성질등의 변화에 관하여 알아보았다. Fluorinated silicon nitride 박막의 248nm 광파장에서의 굴절률 (n)과 소멸계수 (k)는 250mtorr...

Abstract

The amorphous fluorinated silicon nitride thin films were fabricated on Si and fused silica substrates using inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition (ICPECVD) process. The SiH4, N2, Ar and NF3 gases were used as reaction gases, and the deposition variables for different thin fi...

주제어

#DUV lithography Bottom antireflective layer (BARL) Fluorianted silicon nitride thin film BARL design simulator ERD-TOF composition Oxidation mechanism 극자외선 리소그래피 하부 무반사층 플로리네이티드 실리콘 나이트라이드 박막 무반사층 디자인 시뮬레이터 ERD-TOF 조성 산화기구;

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

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저자 전병혁
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내박사
학과 재료공학과
지도교수 노광수,No, Kwang-Soo
발행년도 1998
총페이지 xv, 147 p.
키워드 DUV lithography Bottom antireflective layer (BARL) Fluorianted silicon nitride thin film BARL design simulator ERD-TOF composition Oxidation mechanism 극자외선 리소그래피 하부 무반사층 플로리네이티드 실리콘 나이트라이드 박막 무반사층 디자인 시뮬레이터 ERD-TOF 조성 산화기구
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10508377&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원

DOI 인용 스타일