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NTIS 바로가기Effects of TCE($C_2HCl_3$) Oxidation on Interface Trap Density and Minority Carrier Generation Lifetime were experimentally observed. As a comparative standard, oxidation temperature and oxidation time were 1100$^\circ$C and 20 min., respectively. The flow rate or dry $O_2$ was 1500 cc/min. TCE oxid...
저자 | Soh, Sun-Tae |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기 및 전자공학과 |
발행연도 | 1981 |
총페이지 | [ii], 115 p. |
키워드 | Excess carriers (Solid state physics) 반도체 접합 캐리어 수명 캐리어 밀도 SemiconductorsJunctions |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10513050&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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