본 연구는 축전결합 플라즈마에서 명확히 정립되지 않은 전자가열 및 수송에 대한 연구로서, 간략하게 요약하면 다음과 같다.
축전결합 플라즈마에 인가되는 주파수를 변화시킴에 따라, 플라즈마의 파워소모 모드의 전이를 발견하였다. 구동주파수가 낮은 영역에서는 대부분의 파워가 이온에 의해 소모 되는 반면, 구동주파수가 높은 영역에서는 대부분의 파워가 전자에 의해서 소모됨을 발견하였다. 자기장과 가스에 의한 전자 및 이온 에너지소모 경향은 자기장의 세기기 클수록, 가스의 크기가 클수록 전자에 의한 파워소모가 증가하는 것으로 나타났으며, 이온에 파워소모는 급격히 감소하는 것으로 나타났다. 간단한 회로 모델링고 PIC simulation을 이용하여 이를 이론적으로 재현할 수 있었으며, 이러한 축전결합플라즈마의 성질의 발견은 높은 주파수와 자기장 등을 이용한 효율적인 플라즈마 발생연구에 초석이 될 수 있다.
자기장이 걸린 축전결합 플라즈마에서, 자기장에 따른 sheath의 길이가 모순되게 관측되었다. 자기장이 증가함에 따라 전자밀도가 감소함에도 불구하고, sheath의 길이는 감소하는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 자기장에 횡방향의 전자밀도 변화를 고려하지 않은데서 오는 모순임을 probe의 spatial resoved measurement를 통해 알 수 있었다.
Non-uniform etching 이나 charging에 의해 추측만 되어왔던 ExB 방향의 플라즈마 shift 전기탐침을 이용하여 측정하였다. 가스의 압력과 인가되는 전압에 따라 플라즈마 shift의 특성을 알아보았다.
비교적 높은 압력(300 mTorr)에서 자기장에 의해 낮은 에너지의 전자들이 냉각되는 것을 EEDF 측정을 통해 발견하였다. 이는 Ramsauer effect에 의해 중성 원자와 충돌이 적은 낮은 에너지의 전자들이 자기장에 의해 gyro-motion을 받게 되고, 이에 따라 rf electric field로 부터 받게 되는 electron heating이 비효율적으로 되기 때문이다. Electron kinetics를 이용한 이론적인 해석을 통해, 이러한 전자 냉각을 재현 할 수 있었다.
매우 낮은 압력에서 지금까지 발견했던 전자분포와는 사뭇 다른 형태의 전자분포함수를 발견하였다. 이 전자분포함수는 낮은 에너지 영역에서 매우 강한 전자 가열을 내포하고 있으며, 이 강한 전자가열은 낮은 압력에서 bouncing motion을 하는 전자의 resonant heating characteristic를 이용하여 설명할 수 있었다.
플라즈마에 자기장을 증가시킴에 따라, electron의 non-local property가 사라지고 local property로 전이됨을 BEDF의 spatially resoved measurement를 통해 알 수 있었다. 이러한 결과는 자기장이 전자의 coodinates space에서의 운동은 방해하는 반면에 energy space에서의 운동은 더욱 촉진시키는 성질에서 오는 것이다.
전자의 non-local property를 이용하여 grid가 부착된 전자온도 및 밀도 ...
본 연구는 축전결합 플라즈마에서 명확히 정립되지 않은 전자가열 및 수송에 대한 연구로서, 간략하게 요약하면 다음과 같다.
축전결합 플라즈마에 인가되는 주파수를 변화시킴에 따라, 플라즈마의 파워소모 모드의 전이를 발견하였다. 구동주파수가 낮은 영역에서는 대부분의 파워가 이온에 의해 소모 되는 반면, 구동주파수가 높은 영역에서는 대부분의 파워가 전자에 의해서 소모됨을 발견하였다. 자기장과 가스에 의한 전자 및 이온 에너지소모 경향은 자기장의 세기기 클수록, 가스의 크기가 클수록 전자에 의한 파워소모가 증가하는 것으로 나타났으며, 이온에 파워소모는 급격히 감소하는 것으로 나타났다. 간단한 회로 모델링고 PIC simulation을 이용하여 이를 이론적으로 재현할 수 있었으며, 이러한 축전결합플라즈마의 성질의 발견은 높은 주파수와 자기장 등을 이용한 효율적인 플라즈마 발생연구에 초석이 될 수 있다.
자기장이 걸린 축전결합 플라즈마에서, 자기장에 따른 sheath의 길이가 모순되게 관측되었다. 자기장이 증가함에 따라 전자밀도가 감소함에도 불구하고, sheath의 길이는 감소하는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 자기장에 횡방향의 전자밀도 변화를 고려하지 않은데서 오는 모순임을 probe의 spatial resoved measurement를 통해 알 수 있었다.
Non-uniform etching 이나 charging에 의해 추측만 되어왔던 ExB 방향의 플라즈마 shift 전기탐침을 이용하여 측정하였다. 가스의 압력과 인가되는 전압에 따라 플라즈마 shift의 특성을 알아보았다.
비교적 높은 압력(300 mTorr)에서 자기장에 의해 낮은 에너지의 전자들이 냉각되는 것을 EEDF 측정을 통해 발견하였다. 이는 Ramsauer effect에 의해 중성 원자와 충돌이 적은 낮은 에너지의 전자들이 자기장에 의해 gyro-motion을 받게 되고, 이에 따라 rf electric field로 부터 받게 되는 electron heating이 비효율적으로 되기 때문이다. Electron kinetics를 이용한 이론적인 해석을 통해, 이러한 전자 냉각을 재현 할 수 있었다.
매우 낮은 압력에서 지금까지 발견했던 전자분포와는 사뭇 다른 형태의 전자분포함수를 발견하였다. 이 전자분포함수는 낮은 에너지 영역에서 매우 강한 전자 가열을 내포하고 있으며, 이 강한 전자가열은 낮은 압력에서 bouncing motion을 하는 전자의 resonant heating characteristic를 이용하여 설명할 수 있었다.
플라즈마에 자기장을 증가시킴에 따라, electron의 non-local property가 사라지고 local property로 전이됨을 BEDF의 spatially resoved measurement를 통해 알 수 있었다. 이러한 결과는 자기장이 전자의 coodinates space에서의 운동은 방해하는 반면에 energy space에서의 운동은 더욱 촉진시키는 성질에서 오는 것이다.
전자의 non-local property를 이용하여 grid가 부착된 전자온도 및 밀도 제어 시스템을 만들었다. 공정에 있어서 전자밀도는 etching이나 deposition 속도, 전자온도는 etching selectivity나 deposition film quality에 밀접한 관계가 있기 때문에, 전자온도와 전자 밀도를 독립적으로 제어하는 것은 매우 중요하다. grid bias를 바꿈에 따라 low energy 전자밀도를 제어 할 수 있었고, non-maxwellian 분포함수의 성질로 인해 전자온도도 제어됨을 알 수 있었다. 결과적으로 discharge current와 gird bias를 이용하여 매우 넓은 영역에서 원하는 전자밀도와 전자온도를 얻을 수 있었다.
축전 결합 플라즈마에서 Grid bias를 이용하여 negative ion density를 제어하였다. 이는 grid bias에 따라 negative 이온생성에 직접적인 관계가 있는 낮은 에너지 전자의 밀도가 급격히 변하는 성질로부터 오는 결과이다.
축전결합 플라즈마의 gap에 따른 전자분포함수 변화를 측정하였다. Gap-size가 감소함에 따라 낮은 에너지 전자들이 효율적으로 가열되는 것을 발견하였으며, 이는 gap-size가 감소함에 따라 낮은 전자률이 경험하게 되는 rf electric field의 크기가 증가하는데서 오는 결과이다. Non-local electron kinetics를 이용한 이론적인 해석을 통해 이론 재현할 수 있었고 실험 결과와 잘 일치하는 것을 알 수 있었다.
본 연구는 축전결합 플라즈마에서 명확히 정립되지 않은 전자가열 및 수송에 대한 연구로서, 간략하게 요약하면 다음과 같다.
축전결합 플라즈마에 인가되는 주파수를 변화시킴에 따라, 플라즈마의 파워소모 모드의 전이를 발견하였다. 구동주파수가 낮은 영역에서는 대부분의 파워가 이온에 의해 소모 되는 반면, 구동주파수가 높은 영역에서는 대부분의 파워가 전자에 의해서 소모됨을 발견하였다. 자기장과 가스에 의한 전자 및 이온 에너지소모 경향은 자기장의 세기기 클수록, 가스의 크기가 클수록 전자에 의한 파워소모가 증가하는 것으로 나타났으며, 이온에 파워소모는 급격히 감소하는 것으로 나타났다. 간단한 회로 모델링고 PIC simulation을 이용하여 이를 이론적으로 재현할 수 있었으며, 이러한 축전결합플라즈마의 성질의 발견은 높은 주파수와 자기장 등을 이용한 효율적인 플라즈마 발생연구에 초석이 될 수 있다.
자기장이 걸린 축전결합 플라즈마에서, 자기장에 따른 sheath의 길이가 모순되게 관측되었다. 자기장이 증가함에 따라 전자밀도가 감소함에도 불구하고, sheath의 길이는 감소하는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 자기장에 횡방향의 전자밀도 변화를 고려하지 않은데서 오는 모순임을 probe의 spatial resoved measurement를 통해 알 수 있었다.
Non-uniform etching 이나 charging에 의해 추측만 되어왔던 ExB 방향의 플라즈마 shift 전기탐침을 이용하여 측정하였다. 가스의 압력과 인가되는 전압에 따라 플라즈마 shift의 특성을 알아보았다.
비교적 높은 압력(300 mTorr)에서 자기장에 의해 낮은 에너지의 전자들이 냉각되는 것을 EEDF 측정을 통해 발견하였다. 이는 Ramsauer effect에 의해 중성 원자와 충돌이 적은 낮은 에너지의 전자들이 자기장에 의해 gyro-motion을 받게 되고, 이에 따라 rf electric field로 부터 받게 되는 electron heating이 비효율적으로 되기 때문이다. Electron kinetics를 이용한 이론적인 해석을 통해, 이러한 전자 냉각을 재현 할 수 있었다.
매우 낮은 압력에서 지금까지 발견했던 전자분포와는 사뭇 다른 형태의 전자분포함수를 발견하였다. 이 전자분포함수는 낮은 에너지 영역에서 매우 강한 전자 가열을 내포하고 있으며, 이 강한 전자가열은 낮은 압력에서 bouncing motion을 하는 전자의 resonant heating characteristic를 이용하여 설명할 수 있었다.
플라즈마에 자기장을 증가시킴에 따라, electron의 non-local property가 사라지고 local property로 전이됨을 BEDF의 spatially resoved measurement를 통해 알 수 있었다. 이러한 결과는 자기장이 전자의 coodinates space에서의 운동은 방해하는 반면에 energy space에서의 운동은 더욱 촉진시키는 성질에서 오는 것이다.
전자의 non-local property를 이용하여 grid가 부착된 전자온도 및 밀도 제어 시스템을 만들었다. 공정에 있어서 전자밀도는 etching이나 deposition 속도, 전자온도는 etching selectivity나 deposition film quality에 밀접한 관계가 있기 때문에, 전자온도와 전자 밀도를 독립적으로 제어하는 것은 매우 중요하다. grid bias를 바꿈에 따라 low energy 전자밀도를 제어 할 수 있었고, non-maxwellian 분포함수의 성질로 인해 전자온도도 제어됨을 알 수 있었다. 결과적으로 discharge current와 gird bias를 이용하여 매우 넓은 영역에서 원하는 전자밀도와 전자온도를 얻을 수 있었다.
축전 결합 플라즈마에서 Grid bias를 이용하여 negative ion density를 제어하였다. 이는 grid bias에 따라 negative 이온생성에 직접적인 관계가 있는 낮은 에너지 전자의 밀도가 급격히 변하는 성질로부터 오는 결과이다.
축전결합 플라즈마의 gap에 따른 전자분포함수 변화를 측정하였다. Gap-size가 감소함에 따라 낮은 에너지 전자들이 효율적으로 가열되는 것을 발견하였으며, 이는 gap-size가 감소함에 따라 낮은 전자률이 경험하게 되는 rf electric field의 크기가 증가하는데서 오는 결과이다. Non-local electron kinetics를 이용한 이론적인 해석을 통해 이론 재현할 수 있었고 실험 결과와 잘 일치하는 것을 알 수 있었다.
The research presented here focuses on the study of phenomena associated with the rf power absorption, electron heating and transport in local or non-local regimes. To investigate the study rf current-voltage monitoring system and rf-compensated Langmuir probe system are developed. Experiment has pe...
The research presented here focuses on the study of phenomena associated with the rf power absorption, electron heating and transport in local or non-local regimes. To investigate the study rf current-voltage monitoring system and rf-compensated Langmuir probe system are developed. Experiment has performed in wide range external parameters, various gas pressures, frequencies, gases, magnetic fields, powers, grid-biases, and gap sizes.
From the monitoring of the discharge current-voltage, we found the capacitive discharge dissipate most of the rf power through the ion motion in the sheath rather than electron motion in the bulk at low frequency, while the capacitive discharge dissipate most of the rf power through the electron motion in bulk at high frequency. As a result, the mode transition for rf power dissipation from ion dominated dissipation to electron dominated dissipation takes place while increasing the driving frequency. This is due to the fact that sheath resistance corresponding the power dissipation by ion in the sheath decreases greatly with driving frequency. To conform the argument, we theoretically investigate transition with a simple circuit model and PIC simulation. Both theoretical result is in a good agreement with the experimental result.
The transverse magnetic field also induced the similar transition mentioned above. As the magnetic field increases, the electron motion to the surface well which is perpendicular to the field line is strongly reduced, so that self-bias (dc-sheath voltage) in the sheath decreases. Because the self-bias is directly related to the rf dissipation by the ion (P_(ion) ∝ V_(self)·I_(i)), the rf power dissipation in the sheath decreases strongly with the magnetic field. As result, rf power dissipation mode transition from the ion dominated dissipation to electron dominated dissipation is induced by increasing the magnetic field.
Gas species effect on the rf power dissipation mode transition is investigated. When the discharge gas changes to bigger one having large collision cross-section and heavy atom, ion dissipation in the sheath decrease due to its low mobility, thus the mode from the ion dominated dissipation to electron dissipation take plasma when the gas species change to heavy atom gas at constant current.
The paradoxical sheath width variation in magnetized CCP is found with increasing the magnetic field at fixed discharge voltage. Although the electron density decreases with the magnetic field, the sheath width paradoxically decreases with the magnetic field (s＝√1/n). We solve the problem by measuring the spatial electron density profile under the different magnetic field. Spatially resolved langmuir probe measurement reveals that although the electron density at the center decreases, the electron density near the sheath edge increase as increase the magnetic field. Therefore, the paradoxical sheath width variation stem from overlooking the axial redistribution of plasma density while increasing the magnetic field.
The inhomogeneous radial density profile under the transverse magnetic field has re-ported indirectly in many other studies by measuring the non-uniform charging distribution and etching result on the wafer. The E×B drift has long been believed the main effect to make the non-uniformity without any direct measurement. We measure the spatially non-uniform density profile at different magnetic field, and from the measurement, we can solidify the long believed argument without direct verification, the E×B drift is the origin of radial non-uniformity of electron density and with simple fluid model we can reproduce the density drift in the plasma.
While increasing the transverse magnetic field at high pressure Ar discharge (300 mTorr), a low energy electron cooling induced by the transverse magnetic field is observed in measured Electron Energy Distribution Functions (EEDFS). This is due to the fact that electron heating of low energy electrons near the Ramsauer minimum from the rf electric field is strongly prevented by the electron gyro-averaging effect. A theoretical calculation of electron distribution based on the electron kinetics agrees well with the experimental result.
The measurement of EEDFs in the low pressure capacitive discharge under the collision-less electron heating regime, where the electron mean free path is comparable to or larger than the system length, reveals that there is a new feature of electron energy distribution with a plateau in the low energy electron range, indicating the strong electron heating in that energy range. This observed result can be explained in terms of collisionless heating from the interaction between the electron bouncing motion and the oscillating sheath. A simple calculation of the electron energy distribution with the energy diffusion coefficient including the electron bounce effect is in good agreement with the experiment.
From the spatially resolved measurements of electron energy distribution functions (EEDFs) in a magnetized capacitive discharge, we found that the non-local electron kinetic property, the coincident property of the EEDFs of the total energy (kinetic energy(u)+potential energy(Φ)) in different spatial positions, disappears as the magnetic field increases. This result can be understood as a transition of electron kinetic property from a non-local to a local regime induced by the magnetic field. This transition results from the fact that the magnetic field decreases the electron diffusion in the coordinates space but increases the electron diffusion in the energy space.
The electron density and temperature which can not control independently in conventional low-pressure capacitive discharge can control independently in modified capacitive discharge installing the mesh grid at the discharge center. Because electron density and temperature are related to the radical densities and their composition, respectively, the independent control of them may be important work to find the processing window for nano-scale etch and deposition. Normally in the low pressure discharge, the electron density increases with the rf discharge current keeping a almost same electron temperature, so that just one electron temperature is possible for one electron density. As the grid bias increases, we found that the electron temperature greatly decreases. Therefore, while varying the grid bias and the discharge current, various electron temperatures are possible for a given electron density, and the electron density and temperature can be controlled from 4×10^(8)cm^(-3) to 1×10^(10)cm^(-3) and from 1 eV to 4 eV, respectively. This control mechanism of electron temperature results from non-local kinetic property of the electrons passing through the mesh grid.
With the biased grid, a method to control negative ion density in SF_(6)/Ar capacitive discharge is proposed. By changing the grid bias, the negative ion density (n_) and the ratio between the negative and positive ions (α≡n_/n_(+)) can be controlled within a wide range from 2.8×10^(7)cm^(-3) to 4×10^(9)cm^(-3) and from 0.18 to 0.86, respectively. This ability to control the negative ion density is due to the fact that the fraction of low energy electrons in the Electron Energy Distribution Functions (EEDFs), which is important for generation of the negative ions in SF_(6) plasma, can be changed by the grid bias.
The evolution of the EEDF over the gap size range from 2.5 to 7 cm in 65 mTorr Ar discharges is investigated both experimentally and theoretically. The measured EEDFs exhibit typical bi-Maxwellian forms with low-energy electron groups. A significant depletion in the low-energy portion of the bi-Mawellian is found with decreasing gap size. Results are shown that electron heating by bulk electric fields, which is the main heating process of the low-energy electrons, is greatly enhanced as the gap size becomes small, resulting in the abrupt change of the EEDF. The calculated EEDFs based on non-local kinetic theory are in good agreement with the experiments.
The research presented here focuses on the study of phenomena associated with the rf power absorption, electron heating and transport in local or non-local regimes. To investigate the study rf current-voltage monitoring system and rf-compensated Langmuir probe system are developed. Experiment has performed in wide range external parameters, various gas pressures, frequencies, gases, magnetic fields, powers, grid-biases, and gap sizes.
From the monitoring of the discharge current-voltage, we found the capacitive discharge dissipate most of the rf power through the ion motion in the sheath rather than electron motion in the bulk at low frequency, while the capacitive discharge dissipate most of the rf power through the electron motion in bulk at high frequency. As a result, the mode transition for rf power dissipation from ion dominated dissipation to electron dominated dissipation takes place while increasing the driving frequency. This is due to the fact that sheath resistance corresponding the power dissipation by ion in the sheath decreases greatly with driving frequency. To conform the argument, we theoretically investigate transition with a simple circuit model and PIC simulation. Both theoretical result is in a good agreement with the experimental result.
The transverse magnetic field also induced the similar transition mentioned above. As the magnetic field increases, the electron motion to the surface well which is perpendicular to the field line is strongly reduced, so that self-bias (dc-sheath voltage) in the sheath decreases. Because the self-bias is directly related to the rf dissipation by the ion (P_(ion) ∝ V_(self)·I_(i)), the rf power dissipation in the sheath decreases strongly with the magnetic field. As result, rf power dissipation mode transition from the ion dominated dissipation to electron dominated dissipation is induced by increasing the magnetic field.
Gas species effect on the rf power dissipation mode transition is investigated. When the discharge gas changes to bigger one having large collision cross-section and heavy atom, ion dissipation in the sheath decrease due to its low mobility, thus the mode from the ion dominated dissipation to electron dissipation take plasma when the gas species change to heavy atom gas at constant current.
The paradoxical sheath width variation in magnetized CCP is found with increasing the magnetic field at fixed discharge voltage. Although the electron density decreases with the magnetic field, the sheath width paradoxically decreases with the magnetic field (s＝√1/n). We solve the problem by measuring the spatial electron density profile under the different magnetic field. Spatially resolved langmuir probe measurement reveals that although the electron density at the center decreases, the electron density near the sheath edge increase as increase the magnetic field. Therefore, the paradoxical sheath width variation stem from overlooking the axial redistribution of plasma density while increasing the magnetic field.
The inhomogeneous radial density profile under the transverse magnetic field has re-ported indirectly in many other studies by measuring the non-uniform charging distribution and etching result on the wafer. The E×B drift has long been believed the main effect to make the non-uniformity without any direct measurement. We measure the spatially non-uniform density profile at different magnetic field, and from the measurement, we can solidify the long believed argument without direct verification, the E×B drift is the origin of radial non-uniformity of electron density and with simple fluid model we can reproduce the density drift in the plasma.
While increasing the transverse magnetic field at high pressure Ar discharge (300 mTorr), a low energy electron cooling induced by the transverse magnetic field is observed in measured Electron Energy Distribution Functions (EEDFS). This is due to the fact that electron heating of low energy electrons near the Ramsauer minimum from the rf electric field is strongly prevented by the electron gyro-averaging effect. A theoretical calculation of electron distribution based on the electron kinetics agrees well with the experimental result.
The measurement of EEDFs in the low pressure capacitive discharge under the collision-less electron heating regime, where the electron mean free path is comparable to or larger than the system length, reveals that there is a new feature of electron energy distribution with a plateau in the low energy electron range, indicating the strong electron heating in that energy range. This observed result can be explained in terms of collisionless heating from the interaction between the electron bouncing motion and the oscillating sheath. A simple calculation of the electron energy distribution with the energy diffusion coefficient including the electron bounce effect is in good agreement with the experiment.
From the spatially resolved measurements of electron energy distribution functions (EEDFs) in a magnetized capacitive discharge, we found that the non-local electron kinetic property, the coincident property of the EEDFs of the total energy (kinetic energy(u)+potential energy(Φ)) in different spatial positions, disappears as the magnetic field increases. This result can be understood as a transition of electron kinetic property from a non-local to a local regime induced by the magnetic field. This transition results from the fact that the magnetic field decreases the electron diffusion in the coordinates space but increases the electron diffusion in the energy space.
The electron density and temperature which can not control independently in conventional low-pressure capacitive discharge can control independently in modified capacitive discharge installing the mesh grid at the discharge center. Because electron density and temperature are related to the radical densities and their composition, respectively, the independent control of them may be important work to find the processing window for nano-scale etch and deposition. Normally in the low pressure discharge, the electron density increases with the rf discharge current keeping a almost same electron temperature, so that just one electron temperature is possible for one electron density. As the grid bias increases, we found that the electron temperature greatly decreases. Therefore, while varying the grid bias and the discharge current, various electron temperatures are possible for a given electron density, and the electron density and temperature can be controlled from 4×10^(8)cm^(-3) to 1×10^(10)cm^(-3) and from 1 eV to 4 eV, respectively. This control mechanism of electron temperature results from non-local kinetic property of the electrons passing through the mesh grid.
With the biased grid, a method to control negative ion density in SF_(6)/Ar capacitive discharge is proposed. By changing the grid bias, the negative ion density (n_) and the ratio between the negative and positive ions (α≡n_/n_(+)) can be controlled within a wide range from 2.8×10^(7)cm^(-3) to 4×10^(9)cm^(-3) and from 0.18 to 0.86, respectively. This ability to control the negative ion density is due to the fact that the fraction of low energy electrons in the Electron Energy Distribution Functions (EEDFs), which is important for generation of the negative ions in SF_(6) plasma, can be changed by the grid bias.
The evolution of the EEDF over the gap size range from 2.5 to 7 cm in 65 mTorr Ar discharges is investigated both experimentally and theoretically. The measured EEDFs exhibit typical bi-Maxwellian forms with low-energy electron groups. A significant depletion in the low-energy portion of the bi-Mawellian is found with decreasing gap size. Results are shown that electron heating by bulk electric fields, which is the main heating process of the low-energy electrons, is greatly enhanced as the gap size becomes small, resulting in the abrupt change of the EEDF. The calculated EEDFs based on non-local kinetic theory are in good agreement with the experiments.
주제어
#Electron
#Heating
#Plasma
#전자가열
#축전결합
#플라즈마
학위논문 정보
저자
유신재
학위수여기관
Korea Advanced Institute of Science and Technology
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