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NTIS 바로가기이 연구에서는 MOCVD 방법으로 제작된 InGaN/GaN 다중 양자우물의 광학적 성질을 PL 분광학과 흡수분광학 실험을 통해 연구하였다. 시료는 초록색과 청색 및을 발생하는 LED로 제작된 InGaN/GaN 양자우물로서 양자우물의 폭과 장벽의 폭 및 개수가 다른 4종류가 사용되었으며 평균 양자우물 영역에서 인듐의 평균 농도는 12%였다. ...
Photoluminescence (PL) spectroscopy and transmission measurements are used to study the optical characteristics of InGaN/GaN multi-quantum wells grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition. The temperature of samples was controlled by a He closed-cycle refrigerator and the photoluminescence was...
저자 | 조규필 |
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학위수여기관 | 금오공과대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 물리학과 |
발행연도 | 2006 |
총페이지 | iii, 46p. |
키워드 | 질화갈륨 반도체 양자우물 스펙트럼 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10751793&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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