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NTIS 바로가기본 연구에서는 초고집적 반도체 공정 중, 소자 분리 기술인 shallowtrench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP)에서 발생되는 scratch를 줄이기 위한 목적으로 슬러리의 분산안정성 향상을 위해citr...
An attempt was made to prevent the formation of scratch on the wafer surface during the shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) process by improving the dispersion stability of ceria slurry. The dispersion stability of ceria slurry was distinctively increased by co-ads...
저자 | 이기준 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 신소재공학과 |
발행연도 | 2007 |
총페이지 | 65 p. |
키워드 | 재료공학 |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10932875&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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