$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

CMP slurry 기술 및 산업 동향 원문보기

세라미스트 = Ceramist, v.20 no.4, 2017년, pp.30 - 35  

김태성 (성균관대학교)

초록이 없습니다.

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

가설 설정

  • 8,9) Fig. 3과 같은 다층 구조에서는 CMP공정이 필수적이다. 특히 슬러리는 Fig.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
CMP 공정은 어떤 소모품을 사용하는가? 4,5) CMP 공정은 Fig. 1와 같이 패드, 슬러리, 컨디셔너 총 3가지의 소모품이 사용되며, 직접적으로 평탄화 공정에 관여하는 소모품은 패드와 슬러리가 있다.
CMP 슬러리는 무엇으로 구성되는가? CMP 슬러리란 반도체 표면을 화학적 또는 기계적 방법으로 연마하여 평탄화 하는 CMP 공정에 사용되는 연마 재료로서 화학첨가물을 포함한 수용액과 미립자로 분산된 연마입자로 구성된다.
과산화수소, 질산철 등과 같은 산화제가 슬러리에 첨가하는 이유는 무엇인가? 금속 박막의 경우 산화막이 금속보다 기계적 강도가 낮기 때문에 산화제를 사용하여 표면을 산화 시킨 뒤 연마제를 이용해 기계적으로 연마하는 방식을 사용한다. 이를 위해 과산화수소, 질산철 등과 같은 산화제가 슬러리에 첨가되기도 한다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (18)

  1. B. V. S. Praveen, R. Manivannan, T. D. Umashankar, B. J. Cho, J. G. Park, & S. Ramanathan "Abrasive and additive interactions in high selectivity STI CMP slurries" Microelectronic Engineering, 114 98-104 (2014). 

    상세보기 crossref

  2. D. S. Lim, J. W. Ahn, H. S. Park, & J. H. Shin "The effect of $CeO_2$ abrasive size on dishing and step height reduction of silicon oxide film in STI-CMP" Surface and Coatings Technology, 200(5) 1751-1754 (2005). 

    상세보기 crossref

  3. S. Kondo, S. Tokitoh, B. U. Yoon, A. Namiki, A. Sone, N. Ohashi, & K. Yoneda " Low-pressure CMP for reliable porous low-k/Cu integration" In Interconnect Technology Conference, 2003. Proceedings of the IEEE 2003 International (pp. 86-88). (2003). 

  4. E. E. Remsen, S. Anjur, D. Boldridge, M. Kamiti, S. Li, T. Johns, & P. Feeney "Analysis of large particle count in fumed silica slurries and its correlation with scratch defects generated by CMP" Journal of The Electrochemical Society 153(5), G453-G461 (2006). 

    상세보기 crossref

  5. Y. Ahn, J. Y. Yoon, C. W. Baek, & Y. K. Kim "Chemical mechanical polishing by colloidal silicabased slurry for micro-scratch reduction' Wear 257(7), 785-789 (2004). 

    상세보기 crossref

  6. J. Luo, & D. A. Dornfeld "Material removal regions in chemical mechanical planarization for submicron integrated circuit fabrication: coupling effects of slurry chemicals, abrasive size distribution, and wafer-pad contact area" IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 16(1), 45-56 (2003). 

    상세보기 crossref

  7. Y. J. Seo, S. Y. Kim, Y. O. Choi, Y. T. Oh, & W. S. Lee "Effects of slurry filter size on the chemical mechanical polishing (CMP) defect density" Materials letters 58(15), 2091-2095 (2004). 

    상세보기 crossref

  8. Y. Wang, R. Bajaj, & F. C. Redeker U.S. Patent No. 6,569,349. Washington, DC: U.S. Patent and Trademark Office (2003). 

  9. W. G. America, & S. V. Babu "Slurry additive effects on the suppression of silicon nitride removal during CMP" Electrochemical and solid-state letters 7(12), G327-G330 (2004). 

    상세보기 crossref

  10. B. L. Mueller, C. C. Streinz, & S. K. Grumbine, U.S. Patent No. 5,958,288. Washington, DC: U.S. Patent and Trademark Office (1999). 

  11. S. N. Victoria, P. P. Sharma, I. I. Suni, & S. Ramanathan "Potassium bromate as an oxidizing agent in a titania-based Ru CMP slurry" Electrochemical and Solid-State Letters 13(11), H385-H387 (2010). 

    상세보기 crossref

  12. Farkas, J., Jairath, R., Stell, M., & Tzeng, S. M. U.S. Patent No. 5,614,444. Washington, DC: U.S. Patent and Trademark Office (1997). 

  13. R. Manivannan, & S. Ramanathan "Role of abrasives in high selectivity STI CMP slurries" Microelectronic Engineering 85(8), 1748-1753 (2008). 

    상세보기 crossref

  14. Y. J. Seo, & W. S. Lee "Effects of oxidant additives for exact selectivity control of W-and Ti-CMP process" Microelectronic engineering 77(2), 132-138 (2005). 

    상세보기 crossref

  15. T. Gopal, & J. B. Talbot "Effects of CMP slurry chemistry on the zeta potential of alumina abrasives" Journal of The Electrochemical Society 153(7), G622-G625 (2006). 

    상세보기 crossref

  16. N. K. Penta, H. P. Amanapu, & S. V. Babu "Further Investigation of Slurry Additives for Selective Polishing of $SiO_2$ Films over $Si_3N_4$ Using Ceria Dispersions" ECS Journal of Solid State Science and Technology 4(11), P5025-P5028 (2015). 

    상세보기 crossref

  17. A. Prasad, G. Fotou, & S. Li "The effect of polymer hardness, pore size, and porosity on the performance of thermoplastic polyurethane-based chemical mechanical polishing pads" Journal of Materials Research 28(17), 2380-2393 (2013). 

    상세보기 crossref

  18. Y. J. Seo, G. W. Choi & W. S. Lee "Evaluation of electrical and optical properties of indium tin oxide thin film using chemical mechanical polishing technique" Microelectronic Engineering 84(12), 2896- 2900 (2007). 

    상세보기 crossref

관련 콘텐츠

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로