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NTIS 바로가기The source/drain metal contacts for 3-Dimensional MOSFET were studied. To investigate the resistivity and the sheet resistance of ALD Ni in 3D MOSFET, a self-aligned 3D structure was suggested and fabricated with various fin widths having from 0.2㎛ to 2.0㎛. Then, Ni was silicided at the temperature ...
저자 | 장재형 |
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학위수여기관 | 경북대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자공학과 반도체 및 디스플레이공학전공 |
발행연도 | 2008 |
총페이지 | ii, 61p. |
키워드 | 소스/드레인 접촉 특성 니켈 실리사이드 금속 접촉 3D MOSFET ALD |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T11206131&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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