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학위논문 상세정보

플라즈마 건식 식각 공정 연구

A Study of plasma dry etch processing


이찬수 (한양대학교 공학대학원 전기공학전공 국내석사)
초록

최근 세계 반도체 산업은 30 - 40나노미터(nm)의 회로 선폭에 300mm 실리콘 웨이퍼를 적용한 반도체를 누가 빨리 가장 효과적으로 생산하느냐에 달려 있다고 해도 과언은 아니다. 이에 따라 반도체를 더욱 미세화, 고집적화 할 수 있는 제조장비 및 재료의 개발 경쟁이 치열하다. 이에 본 연구에서는 미세 pattern 식각 가공이 우수하한 plasma etch 공정 기술에 대하여 연구하게 되었다. 웨이퍼를 식각하는 방법에는 습식 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching), 두 종류가 있다. Plasma etc...

Abstract

Lately, it has been perceived that the future leadership in the world semi-conductor industries depends on who would most fast and most effectively produce the semi-conductors applying the 30mm silicon wafer on the circuit 30 ~ 40 nm wide. Thus, competition is very fierce to develop the manufacturin...

주제어

#전기공학;

참고문헌 (0)

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  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음
저자 이찬수
학위수여기관 한양대학교 공학대학원
학위구분 국내석사
학과 전기공학전공
발행년도 2008
총페이지 vi, 38 p.
키워드 전기공학
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T11232419&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원

DOI 인용 스타일