디스플레이의 저온 Poly공정에서 P+/N+ 이온 도핑공정에서는 Mask로서 Cr막을 사용하고 있는 반면, 前공정에서 Cr막을 형성시키기 위해 사용되는 Photoresist를 대체 물질로 사용하면 Cr막의 증착 공정이 필요 없게 되며 이에 수반되는 공정 단순화 및 생산성 향상을 도모할 수 있다. 그러나 현재 사용하고 있는 기존 Positive 형 Photoresist는 130℃ 정도의 내열성을 갖는다. 고온의 Ion 도핑공정에서는 이러한 내열성을 갖는 Photoresist를 사용하게 되면 열에 견디어 내지 못하고 Flowing될 우려가 있으며 특히, 반도체에서 진행하는 Metal Dry Etch 공정에서도 Metal의 Pattern형성 공정에서 동일하게 Mask로서 사용되는 Photoresist의 Burning현상으로 인하여 Mask로서의 역할 및 사용을 못하게 된다. 이러한 현상을 개선하기 위해 160℃의 고온에도 견디어내는 내열성이 강한 Photoresist의 필요성 및 요구가 대두되었으며 내열성이 강한 모노머들을 적용시켜 내열성의 향상을 도모해 왔다. [3]본 논문에서는 ...
디스플레이의 저온 Poly공정에서 P+/N+ 이온 도핑공정에서는 Mask로서 Cr막을 사용하고 있는 반면, 前공정에서 Cr막을 형성시키기 위해 사용되는 Photoresist를 대체 물질로 사용하면 Cr막의 증착 공정이 필요 없게 되며 이에 수반되는 공정 단순화 및 생산성 향상을 도모할 수 있다. 그러나 현재 사용하고 있는 기존 Positive 형 Photoresist는 130℃ 정도의 내열성을 갖는다. 고온의 Ion 도핑공정에서는 이러한 내열성을 갖는 Photoresist를 사용하게 되면 열에 견디어 내지 못하고 Flowing될 우려가 있으며 특히, 반도체에서 진행하는 Metal Dry Etch 공정에서도 Metal의 Pattern형성 공정에서 동일하게 Mask로서 사용되는 Photoresist의 Burning현상으로 인하여 Mask로서의 역할 및 사용을 못하게 된다. 이러한 현상을 개선하기 위해 160℃의 고온에도 견디어내는 내열성이 강한 Photoresist의 필요성 및 요구가 대두되었으며 내열성이 강한 모노머들을 적용시켜 내열성의 향상을 도모해 왔다. [3]본 논문에서는 에폭시 아크릴레이트의 모노머를 기존 노볼락계의 Photoresist에 적용시켜 고온에 견디어내는 내열성이 강한 Photoresist에 대한 연구개발을 진행하였으며 Ion doping 공정과 Dry Etch 공정에서 사용 가능한 수준의 Photoresist 로서의 내열성 강한 새로운 고내열의 Photoresist 결과를 얻을 수 있었다. 지속적인 공정에서의 신뢰성 측면과 공정에서의 문제점 확보를 얻어내어 개선시키는 작업이 남아 있으며 이에 관련 연구를 본 연구를 기초로 지속적으로 진행해 나가려고 한다
디스플레이의 저온 Poly공정에서 P+/N+ 이온 도핑공정에서는 Mask로서 Cr막을 사용하고 있는 반면, 前공정에서 Cr막을 형성시키기 위해 사용되는 Photoresist를 대체 물질로 사용하면 Cr막의 증착 공정이 필요 없게 되며 이에 수반되는 공정 단순화 및 생산성 향상을 도모할 수 있다. 그러나 현재 사용하고 있는 기존 Positive 형 Photoresist는 130℃ 정도의 내열성을 갖는다. 고온의 Ion 도핑공정에서는 이러한 내열성을 갖는 Photoresist를 사용하게 되면 열에 견디어 내지 못하고 Flowing될 우려가 있으며 특히, 반도체에서 진행하는 Metal Dry Etch 공정에서도 Metal의 Pattern형성 공정에서 동일하게 Mask로서 사용되는 Photoresist의 Burning현상으로 인하여 Mask로서의 역할 및 사용을 못하게 된다. 이러한 현상을 개선하기 위해 160℃의 고온에도 견디어내는 내열성이 강한 Photoresist의 필요성 및 요구가 대두되었으며 내열성이 강한 모노머들을 적용시켜 내열성의 향상을 도모해 왔다. [3]본 논문에서는 에폭시 아크릴레이트의 모노머를 기존 노볼락계의 Photoresist에 적용시켜 고온에 견디어내는 내열성이 강한 Photoresist에 대한 연구개발을 진행하였으며 Ion doping 공정과 Dry Etch 공정에서 사용 가능한 수준의 Photoresist 로서의 내열성 강한 새로운 고내열의 Photoresist 결과를 얻을 수 있었다. 지속적인 공정에서의 신뢰성 측면과 공정에서의 문제점 확보를 얻어내어 개선시키는 작업이 남아 있으며 이에 관련 연구를 본 연구를 기초로 지속적으로 진행해 나가려고 한다
At the P+/N+ion doping process for the low-temperature ploy processing of display, Cr film is used as mask, but if the photoresist should be used as alternative substance to form the Cr film, the vapor process of Cr film would not be required to simplify the accompanying processes and increase produ...
At the P+/N+ion doping process for the low-temperature ploy processing of display, Cr film is used as mask, but if the photoresist should be used as alternative substance to form the Cr film, the vapor process of Cr film would not be required to simplify the accompanying processes and increase productivity.However, the conventional positive type photoresist can only resist the heat up to about 130℃. If such a photoresist should be used in the high-temperature ion doping process, it would not resist the higher heat to be flowing. Particularly in the mental dry etch process for semi-conductors, the photoresist used as mask in the pattern forming process may well burn out, which means that it would not play the role of mask. In order to improve such problems, a photoresist which can resist the heat up to 160℃ is required, while the highly heat resistant monomers are applied to enhance the heat resistance. [3]This study applied the Epoxy Acrylate monomers to the conventional Novolak photoresist and thereby, researched into a high heat resistant photoresist and thereby, developed a new high heat resistant photoresist available for ion doping and dry etch processes. Lastly, it is hoped that the result of this study will be verified for its reliability through subsequent in-process tests with its possible problems resolved. In this regard, the researcher would like to verify and develop the result of this study continuously
At the P+/N+ion doping process for the low-temperature ploy processing of display, Cr film is used as mask, but if the photoresist should be used as alternative substance to form the Cr film, the vapor process of Cr film would not be required to simplify the accompanying processes and increase productivity.However, the conventional positive type photoresist can only resist the heat up to about 130℃. If such a photoresist should be used in the high-temperature ion doping process, it would not resist the higher heat to be flowing. Particularly in the mental dry etch process for semi-conductors, the photoresist used as mask in the pattern forming process may well burn out, which means that it would not play the role of mask. In order to improve such problems, a photoresist which can resist the heat up to 160℃ is required, while the highly heat resistant monomers are applied to enhance the heat resistance. [3]This study applied the Epoxy Acrylate monomers to the conventional Novolak photoresist and thereby, researched into a high heat resistant photoresist and thereby, developed a new high heat resistant photoresist available for ion doping and dry etch processes. Lastly, it is hoped that the result of this study will be verified for its reliability through subsequent in-process tests with its possible problems resolved. In this regard, the researcher would like to verify and develop the result of this study continuously
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