본 연구에서는 차세대 비휘발성 메모리 중에서 PRAM의 동작 특성에 따른 최근의 기술 개발동향 및 특허동향에 대해 다루었다. 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있는 것에는 강유전체메모리(FRAM), 자기메모리(MRAM), 상변화메모리(PRAM)를 뽑을 수 있다. 이중에서 PRAM은 비용절감 및 랜덤 엑세스(random access)가 가능한 DRAM의 장점과 비용절감 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있는 ...
본 연구에서는 차세대 비휘발성 메모리 중에서 PRAM의 동작 특성에 따른 최근의 기술 개발동향 및 특허동향에 대해 다루었다. 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있는 것에는 강유전체메모리(FRAM), 자기메모리(MRAM), 상변화메모리(PRAM)를 뽑을 수 있다. 이중에서 PRAM은 비용절감 및 랜덤 엑세스(random access)가 가능한 DRAM의 장점과 비용절감 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있는 플래시 메모리의 장점만을 융합한 것으로서, 상변화 물질에 의해 동작되며 현재 가장 각광받고 있는 비휘발성 차세대 메모리소자이다. 그러나, 다른 차세대 메모리 소자와 비교해서 구동전력이 상대적으로 높다는 단점이 있다. 따라서, 상기 구동전력을 낮추기 위한 최근의 기술 개발동향 및 PRAM의 특허동향에 대해 논의한다.
본 연구에서는 차세대 비휘발성 메모리 중에서 PRAM의 동작 특성에 따른 최근의 기술 개발동향 및 특허동향에 대해 다루었다. 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있는 것에는 강유전체메모리(FRAM), 자기메모리(MRAM), 상변화메모리(PRAM)를 뽑을 수 있다. 이중에서 PRAM은 비용절감 및 랜덤 엑세스(random access)가 가능한 DRAM의 장점과 비용절감 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있는 플래시 메모리의 장점만을 융합한 것으로서, 상변화 물질에 의해 동작되며 현재 가장 각광받고 있는 비휘발성 차세대 메모리소자이다. 그러나, 다른 차세대 메모리 소자와 비교해서 구동전력이 상대적으로 높다는 단점이 있다. 따라서, 상기 구동전력을 낮추기 위한 최근의 기술 개발동향 및 PRAM의 특허동향에 대해 논의한다.
This paper presents recent trends in technological development for PRAM operating property and patents on PRAM. Currently emerging nonvolatile memories include ferroelectric random access memory (FRAM), magnetic random access memory (MRAM), and phase-change random access memory (PRAM). In particul...
This paper presents recent trends in technological development for PRAM operating property and patents on PRAM. Currently emerging nonvolatile memories include ferroelectric random access memory (FRAM), magnetic random access memory (MRAM), and phase-change random access memory (PRAM). In particular, PRAM employing a phase change material has the advantages of DRAM, low costs and random access, and those of flash memory, low costs and nonvolatility, and is regarded as the most promising next generation nonvolatile memory device. However, PRAM requires a relatively high operating voltage in comparison to other emerging memory devices. This paper discusses recent trends in technological development for PRAM operating voltage reduction and patents on PRAM.
This paper presents recent trends in technological development for PRAM operating property and patents on PRAM. Currently emerging nonvolatile memories include ferroelectric random access memory (FRAM), magnetic random access memory (MRAM), and phase-change random access memory (PRAM). In particular, PRAM employing a phase change material has the advantages of DRAM, low costs and random access, and those of flash memory, low costs and nonvolatility, and is regarded as the most promising next generation nonvolatile memory device. However, PRAM requires a relatively high operating voltage in comparison to other emerging memory devices. This paper discusses recent trends in technological development for PRAM operating voltage reduction and patents on PRAM.
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