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PRAM 기술 전망
The Prospect of the Phase-change Random Access Memory Technology 원문보기

전자통신동향분석 = Electronics and telecommunications trends, v.20 no.6 = no.96, 2005년, pp.62 - 69  

박영삼 (기능성전자소자팀) ,  윤성민 (기능성전자소자팀) ,  유병곤 (기능성전자소자팀)

초록
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세계 최고 권위의 반도체 시장 조사기관인 Gartner Dataquest는 2004년 세계 메모리시장 규모는 480억 달러로 2003년의 335억 달러 대비 43% 성장하였다고 보고하고있다[1]. 또한 DRAM은 55%, 플래시 메모리는 35%를 차지하고 있으며, 이들 두 메모리가 전체 메모리 시장을 양분하고 있다[1]. DRAM은 cost 및 random access가 가능하다는 장점을 가지고 있지만 휘발성이라는 단점을 가지고 있으며, 플래시 메모리는cost 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있으나 random access가 불가능하다는 단점을 보유하고 있다. 하지만, PRAM은 DRAM과 플래시 메모리의 장점만을 융합한 통합형메모리로서, 현재 가장 각광받고 있으며 양산화에 가장 근접한 메모리이다. 본 고에서는 PRAM의 구조 및 동작특성, 개발동향 및 향후 전망에 대해 논의하고자 한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 5V 에서 동작하는 PRAM 개발 결과를 발표할 예정이다 [10]. 본 논문에서는 PRAM 의 구조 및 동작특성, 개발 동향 및 향후 전망 등에 대해 언급하고자 한다.
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