Al이 보유하고 있는 낮은 비저항과 절연층과의 좋은 접착력 등 우수한 장점이 있지만 산화 경향과 Si과 SiO₂와의 높은 반응성, 특히 ITO와의 contact 저항이 나쁜 특성을 지니고 있다. 이런 문제점 중 특히 Al과 ITO와의 contact 문제를 해결하기 위하여 Al-Nd alloy 아래위에 Mo layer를 형성한 연구가 많이 진행되었으며 양산에 적용되고 있다. 하지만 이런 glue layer로서 사용한 Mo/Al-Nd alloy/Mo 와 같은 다층박막을 사용 할 경우 공정의 수가 많아 지는 단점을 지니게 된다. 그래서 본 논문에서는 이런 공정을 단순화 하기 위하여 Al-Ni alloy의 단일층 적용에 대한 연구를 진행 하였다. 본 연구에서는 단일층으로 Al-Ni alloy를 연구함에 있어서 Ni의 농도와 열처리 온도에 따른 비저항 변화를 4point probe로 측정하였다. Ni이 2%일 경우 350℃ 열처리 시 Al-Nd alloy(4.5μΩ-cm)보다 낮은 3.98μΩ-cm 의 비저항을 가졌고, ITO와 Al의 계면분석을 하기 위하여 ...
Al이 보유하고 있는 낮은 비저항과 절연층과의 좋은 접착력 등 우수한 장점이 있지만 산화 경향과 Si과 SiO₂와의 높은 반응성, 특히 ITO와의 contact 저항이 나쁜 특성을 지니고 있다. 이런 문제점 중 특히 Al과 ITO와의 contact 문제를 해결하기 위하여 Al-Nd alloy 아래위에 Mo layer를 형성한 연구가 많이 진행되었으며 양산에 적용되고 있다. 하지만 이런 glue layer로서 사용한 Mo/Al-Nd alloy/Mo 와 같은 다층박막을 사용 할 경우 공정의 수가 많아 지는 단점을 지니게 된다. 그래서 본 논문에서는 이런 공정을 단순화 하기 위하여 Al-Ni alloy의 단일층 적용에 대한 연구를 진행 하였다. 본 연구에서는 단일층으로 Al-Ni alloy를 연구함에 있어서 Ni의 농도와 열처리 온도에 따른 비저항 변화를 4point probe로 측정하였다. Ni이 2%일 경우 350℃ 열처리 시 Al-Nd alloy(4.5μΩ-cm)보다 낮은 3.98μΩ-cm 의 비저항을 가졌고, ITO와 Al의 계면분석을 하기 위하여 AES, XPS, FE-SEM, HR-TEM 분석하였다. 또한 결정성을 분석하기 위하여 XRD분석을 하였고 Al₃Ni의 결정성이 상당량 발견할 수 있었다. Contact 저항은 TLM(transmission line model)을 이용하여 Al-Ni4.5at.%일 경우 1.106 ×10^(-3) Ω-cm² 낮은 contact 저항치를 얻었다.
Al이 보유하고 있는 낮은 비저항과 절연층과의 좋은 접착력 등 우수한 장점이 있지만 산화 경향과 Si과 SiO₂와의 높은 반응성, 특히 ITO와의 contact 저항이 나쁜 특성을 지니고 있다. 이런 문제점 중 특히 Al과 ITO와의 contact 문제를 해결하기 위하여 Al-Nd alloy 아래위에 Mo layer를 형성한 연구가 많이 진행되었으며 양산에 적용되고 있다. 하지만 이런 glue layer로서 사용한 Mo/Al-Nd alloy/Mo 와 같은 다층박막을 사용 할 경우 공정의 수가 많아 지는 단점을 지니게 된다. 그래서 본 논문에서는 이런 공정을 단순화 하기 위하여 Al-Ni alloy의 단일층 적용에 대한 연구를 진행 하였다. 본 연구에서는 단일층으로 Al-Ni alloy를 연구함에 있어서 Ni의 농도와 열처리 온도에 따른 비저항 변화를 4point probe로 측정하였다. Ni이 2%일 경우 350℃ 열처리 시 Al-Nd alloy(4.5μΩ-cm)보다 낮은 3.98μΩ-cm 의 비저항을 가졌고, ITO와 Al의 계면분석을 하기 위하여 AES, XPS, FE-SEM, HR-TEM 분석하였다. 또한 결정성을 분석하기 위하여 XRD분석을 하였고 Al₃Ni의 결정성이 상당량 발견할 수 있었다. Contact 저항은 TLM(transmission line model)을 이용하여 Al-Ni4.5at.%일 경우 1.106 ×10^(-3) Ω-cm² 낮은 contact 저항치를 얻었다.
Although Al has such as lower resistivity and good adhesion to dielectrics and so on, it has poor oxidation, fast diffusion into Si and SiO2, especially poor contact resistivity to ITO(indium tin oxide). In order to address the contact resistivity problem, Mo glue diffusion layer has been widely use...
Although Al has such as lower resistivity and good adhesion to dielectrics and so on, it has poor oxidation, fast diffusion into Si and SiO2, especially poor contact resistivity to ITO(indium tin oxide). In order to address the contact resistivity problem, Mo glue diffusion layer has been widely used for Al-Nd metallization. In case of multi-layer such as Mo/Al-Nd alloy/Mo process as Mo glue layer, they should be increasing of deposition process stages. In this study we has stuied about cut down application single layer of TFTs Al-Ni alloy process. The result of measuring Al-Ni2% alloy 4point-probe is that it has lower resistivity (3.9 μΩ-cm) than Al-Nd alloy(4.5μΩ-cm) in case of 350℃ annealing. To analyze the facing layer between ITO and Al-Ni alloy, we analyzed AES, XPS. FESEM, HRTEM we found phase of Al₃Ni by XRD as well, contact resistivity of Al-Ni4.5% alloy is low 1.106×10^(-3) Ω-cm²
Although Al has such as lower resistivity and good adhesion to dielectrics and so on, it has poor oxidation, fast diffusion into Si and SiO2, especially poor contact resistivity to ITO(indium tin oxide). In order to address the contact resistivity problem, Mo glue diffusion layer has been widely used for Al-Nd metallization. In case of multi-layer such as Mo/Al-Nd alloy/Mo process as Mo glue layer, they should be increasing of deposition process stages. In this study we has stuied about cut down application single layer of TFTs Al-Ni alloy process. The result of measuring Al-Ni2% alloy 4point-probe is that it has lower resistivity (3.9 μΩ-cm) than Al-Nd alloy(4.5μΩ-cm) in case of 350℃ annealing. To analyze the facing layer between ITO and Al-Ni alloy, we analyzed AES, XPS. FESEM, HRTEM we found phase of Al₃Ni by XRD as well, contact resistivity of Al-Ni4.5% alloy is low 1.106×10^(-3) Ω-cm²
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