유기 박막 트랜지스터는 비교적 쉬운 공정과 낮은 공정 온도, 낮은 가격, 물리적으로 쉽게 구부러지는 등의 장점 때문에 최근 수년간 활발한 연구가 진행 되고 있다. 이러한 이유로 스마트 카드, RFID tag나 flexible 디스플레이등에 많이 이용되고 있다. 유기 박막 트랜지스터의 활성층 물질로서 여러 가지 다양한 유기물이 사용되고 있는데 그중 전기적 특성이 가장 좋은 펜타신이 가장 널리 이용되고 있다. 따라서 본 논문은 기존의 여러 가지 무기물 활성층 대신 펜타신을 이용한 유기물 활성층을 사용하여 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다. 비록 펜타신의 전도 메커니즘은 완전히 규명되지 않았으나 펜타신의 ...
유기 박막 트랜지스터는 비교적 쉬운 공정과 낮은 공정 온도, 낮은 가격, 물리적으로 쉽게 구부러지는 등의 장점 때문에 최근 수년간 활발한 연구가 진행 되고 있다. 이러한 이유로 스마트 카드, RFID tag나 flexible 디스플레이등에 많이 이용되고 있다. 유기 박막 트랜지스터의 활성층 물질로서 여러 가지 다양한 유기물이 사용되고 있는데 그중 전기적 특성이 가장 좋은 펜타신이 가장 널리 이용되고 있다. 따라서 본 논문은 기존의 여러 가지 무기물 활성층 대신 펜타신을 이용한 유기물 활성층을 사용하여 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다. 비록 펜타신의 전도 메커니즘은 완전히 규명되지 않았으나 펜타신의 표면 특성, grain 크기와 밀접한 관련이 있다고 알려져 있다. 이는 펜타신의 성장 조건뿐만 아니라 펜타신이 증착되는 게이트 절연막에 의해 크게 영향을 받는다. 그러므로 우리는 여러 종류의 폴리머 게이트 절연막 위의 펜타신 특성을 분석하였다. 또한 증착온도에 따른 펜타신 결정립의 크기를 비교하여 가장 적합한 온도를 찾았다. 소스/드레인 전극의 증착방법인 잉크젯 방법은 기존의 사진 공정(lithography), 열 증착법, 스핀 코팅법 과 디핑 코팅 방법들에 비해 낮은 가격, 넓은 면적에 적용이 가능하며 간단한 공정과정을 갖는 장점을 가지고 있다. 잉크젯 프린팅 방법에 사용된 폴리머 전극으로는 PEDOT:PSS를 사용하였다. PEDOT:PSS는 전도성 폴리머로서 가장 좋은 전도성을 가지고 있다고 알려져 있다. 본 연구에서는 flexible 기판인 PES 필름위에 잉크젯 프린팅 방법을 통해 유기 박막 트랜지스터를 제작 하였고.inverter 회로를 구연하였다. 여러 종류의 게이트 절연막과 증착온도에 따른 펜타신 박막의 표면 특성 및 grain 크기를 atomic force microscope (AFM)와 x-ray diffraction (XRD)을 이용하여 분석하였다.
유기 박막 트랜지스터는 비교적 쉬운 공정과 낮은 공정 온도, 낮은 가격, 물리적으로 쉽게 구부러지는 등의 장점 때문에 최근 수년간 활발한 연구가 진행 되고 있다. 이러한 이유로 스마트 카드, RFID tag나 flexible 디스플레이등에 많이 이용되고 있다. 유기 박막 트랜지스터의 활성층 물질로서 여러 가지 다양한 유기물이 사용되고 있는데 그중 전기적 특성이 가장 좋은 펜타신이 가장 널리 이용되고 있다. 따라서 본 논문은 기존의 여러 가지 무기물 활성층 대신 펜타신을 이용한 유기물 활성층을 사용하여 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다. 비록 펜타신의 전도 메커니즘은 완전히 규명되지 않았으나 펜타신의 표면 특성, grain 크기와 밀접한 관련이 있다고 알려져 있다. 이는 펜타신의 성장 조건뿐만 아니라 펜타신이 증착되는 게이트 절연막에 의해 크게 영향을 받는다. 그러므로 우리는 여러 종류의 폴리머 게이트 절연막 위의 펜타신 특성을 분석하였다. 또한 증착온도에 따른 펜타신 결정립의 크기를 비교하여 가장 적합한 온도를 찾았다. 소스/드레인 전극의 증착방법인 잉크젯 방법은 기존의 사진 공정(lithography), 열 증착법, 스핀 코팅법 과 디핑 코팅 방법들에 비해 낮은 가격, 넓은 면적에 적용이 가능하며 간단한 공정과정을 갖는 장점을 가지고 있다. 잉크젯 프린팅 방법에 사용된 폴리머 전극으로는 PEDOT:PSS를 사용하였다. PEDOT:PSS는 전도성 폴리머로서 가장 좋은 전도성을 가지고 있다고 알려져 있다. 본 연구에서는 flexible 기판인 PES 필름위에 잉크젯 프린팅 방법을 통해 유기 박막 트랜지스터를 제작 하였고.inverter 회로를 구연하였다. 여러 종류의 게이트 절연막과 증착온도에 따른 펜타신 박막의 표면 특성 및 grain 크기를 atomic force microscope (AFM)와 x-ray diffraction (XRD)을 이용하여 분석하였다.
Organic thin-film transistors (OTFTs) have the key advantages of relatively simple and low temperature processing, low cost and mechanical flexibility that are useful in many applications, such as smart cards, RFID tags and flexibly displays, etc. Several different organic semiconductors have been i...
Organic thin-film transistors (OTFTs) have the key advantages of relatively simple and low temperature processing, low cost and mechanical flexibility that are useful in many applications, such as smart cards, RFID tags and flexibly displays, etc. Several different organic semiconductors have been investigated for the application to TFTs. Among the various organic semiconductors, pentacene-based TFTs are actively investigated for their excellent electrical performance. But there is significant manufacturing problem which is not clear whether their cost is sufficiently low for future applications. Inkjet printing technique can remove this problem. The inkjet printing has several advantages such as low-cost and simple fabrication process compared to other methods, such as lithography, thermal evaporation, spin coating and dipping coating. Using this technique, conducting polymer has become a very promising electrode material. Among the variety of conducting polymer, Poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)-Polystyrene Sulfonate (PEDOT:PSS) is the most widely used as an electrode material. We have fabricated pentacene TFTs in which the conventional inorganic gate-insulators, S/D metal electrodes and substrates are replaced by organic material, modified PEDOT:PSS and plastic substrates, respectively. We also fabricated pentacene TFTs with several kinds of polymers as gate insulators. The physical and electrical properties of the polymer gate insulator are measured by atomic force microscope (AFM) and I-V measurement. In this work, fully organic pentacene TFTs with PEDOT:PSS S/D electrodes and polymer gate insulators are successfully demonstrated by simple process on the plastic substrate. We have fabricated polymer gate pentacene TFTs and all-organic thin film transistor circuits with ink-jet printed electrodes.
Organic thin-film transistors (OTFTs) have the key advantages of relatively simple and low temperature processing, low cost and mechanical flexibility that are useful in many applications, such as smart cards, RFID tags and flexibly displays, etc. Several different organic semiconductors have been investigated for the application to TFTs. Among the various organic semiconductors, pentacene-based TFTs are actively investigated for their excellent electrical performance. But there is significant manufacturing problem which is not clear whether their cost is sufficiently low for future applications. Inkjet printing technique can remove this problem. The inkjet printing has several advantages such as low-cost and simple fabrication process compared to other methods, such as lithography, thermal evaporation, spin coating and dipping coating. Using this technique, conducting polymer has become a very promising electrode material. Among the variety of conducting polymer, Poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)-Polystyrene Sulfonate (PEDOT:PSS) is the most widely used as an electrode material. We have fabricated pentacene TFTs in which the conventional inorganic gate-insulators, S/D metal electrodes and substrates are replaced by organic material, modified PEDOT:PSS and plastic substrates, respectively. We also fabricated pentacene TFTs with several kinds of polymers as gate insulators. The physical and electrical properties of the polymer gate insulator are measured by atomic force microscope (AFM) and I-V measurement. In this work, fully organic pentacene TFTs with PEDOT:PSS S/D electrodes and polymer gate insulators are successfully demonstrated by simple process on the plastic substrate. We have fabricated polymer gate pentacene TFTs and all-organic thin film transistor circuits with ink-jet printed electrodes.
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