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반도체 소자의 비약적인 발전은 여러 산업 분야의 성장을 촉진 발전 시켰다. 그 중심에서 반도체 소자의 feature size의 감소는 초소형, 저 전력, 고기능의 특성을 갖는 소자의 생산을 가능하게 하였으며 이를 기반으로 소자의 재현성, 생산성 증가로 이어져 반도체 산업을 성공시킨 필수적인 요건이 되어왔다. 이런 반도체 소자의 feature size 감소는 특정 패턴의 선폭에 대한 미세화가 필수적인 요건이며, 미세한 선폭을 형성시키기 위한 노광기술은 feature size 감소의 핵심 기술로 대두되고 있다. 국내외적으로 반도체 산업은 차세대 반도체 노광 기술의 개발에 집중되고 있으며 현재까지의 노광 기술은 주로 광원의 파장을 최대한 줄임으로써 ...

반도체 소자의 비약적인 발전은 여러 산업 분야의 성장을 촉진 발전 시켰다. 그 중심에서 반도체 소자의 feature size의 감소는 초소형, 저 전력, 고기능의 특성을 갖는 소자의 생산을 가능하게 하였으며 이를 기반으로 소자의 재현성, 생산성 증가로 이어져 반도체 산업을 성공시킨 필수적인 요건이 되어왔다. 이런 반도체 소자의 feature size 감소는 특정 패턴의 선폭에 대한 미세화가 필수적인 요건이며, 미세한 선폭을 형성시키기 위한 노광기술은 feature size 감소의 핵심 기술로 대두되고 있다. 국내외적으로 반도체 산업은 차세대 반도체 노광 기술의 개발에 집중되고 있으며 현재까지의 노광 기술은 주로 광원의 파장을 최대한 줄임으로써 해상도를 향상시키는 방향으로 진행되어 왔다. 그러나 feature size가 50nm 이하로 줄어들면서 나노(nano)급으로 축소되어질 경우 적절하게 사용가능한 광원, 마스크 및 새로운 특성의 PR(Photo Resist)의 필요성으로 기존의 노광 기술은 그 한계에 도달하게 되었다. 이온 빔(ion beam)이나 전자 빔(electron beam)등을 이용하여 노광하는 NGL(Next Generation Lithography) 장비에 대한 기술이 주목 받고 있다. 전자빔리소그래피(Electron Beam Lithography) 기술은 기존의 광학적인 노광기술에 비하여 해상도는 물론이고 원하는 위치에 패턴을 정확하게 정렬(overlay accuracy) 시킬 수 있는 장점을 가지고 있음에도 불구하고 낮은 생산성(throughput)으로 인하여 R&D분야에서만 제한적으로 사용되어온 것이 사실이다. 그러나 한 번에 노광 할 수 있는 노광면적(field size)의 확대, 노광속도(frequency)의 향상, 다중 빔(multi beam) 기술 등을 통하여 생산성을 증가시키기 위한 획기적인 접근이 연구되어지고 있다. 그래서 본 연구에서는 전자빔 리소그래피 장비를 전자 현미경을 이용하여 만들어 보고 최적화 시키는 일련의 활동 등을 통해서 실제 전자빔 리소그래피를 할 경우에 최적의 상태에서 리소그래피를 할 수 있도록 진행하였다. 그리고 그 최적화된 상태에서 실제로 고출력 단일 모드 미세기공 수직 공진 표면 광 레이저를 구현해 보았다.

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