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Si 전극은 4200mAh/g-Si이라는 우수한 이론 용량을 나타내지만, 약 300%에 해당하는 큰 부피팽창으로 인한 내부응력 증가로 사이클이 진행됨에 따라 급격한 용량감소를 나타내는 문제점이 있다. 이를 개선하기 위한 방법으로 전극을 박막화 함으로써 충·방전 동안에 발생되는 전극의 균열을 감소시키거나 Si과 집전체간의 결합력을 향상시키기 위한 많은 연구가 진행되어 왔으나 막의 두께가 증가했을 때, 사이클이 진행됨에 따라 급격한 용량감소를 나타내는 문제점이 발생한다.
본 연구에서 이러한 문제점을 해결하기 위해 Si 박막과 Cu 집전체 사이에 Ni ...
A cluster structured Ni film is deposited between Si film and Cu substrate in order to modify the surface morphology of Si film and support an active material during charge-discharge (alloying - dealloying) process. Surface morphology of a deposited film depends on the surface state of a under layer...
저자 | 배상호 |
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학위수여기관 | 慶尙大學校 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | Nano·新素材工學部 |
발행연도 | 2010 |
총페이지 | iv, 41장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T11948048&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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