본 논문에서는 수명 개선을 위해 유/무기 복합막을 보호층으로 적용하고 이때 보호층의 성막과정에서 발생하는 응력 및 대기 중의 노출과 같은 직접적인 손상으로부터 소자를 보호하기 위하여 LiF, SiNx, LiF/SiNx의 3가지 버퍼층을 사용하였다. 기본소자로 Alq3에 Rubrene을 1 vol.% 도핑한 적색 OLED를 사용하였다. 그 구조는 ITO(150 ㎚)/ELM200_HIL(50 ㎚)/ELM002_HTL(30 ㎚)/Alq3 : 1 vo...
본 논문에서는 수명 개선을 위해 유/무기 복합막을 보호층으로 적용하고 이때 보호층의 성막과정에서 발생하는 응력 및 대기 중의 노출과 같은 직접적인 손상으로부터 소자를 보호하기 위하여 LiF, SiNx, LiF/SiNx의 3가지 버퍼층을 사용하였다. 기본소자로 Alq3에 Rubrene을 1 vol.% 도핑한 적색 OLED를 사용하였다. 그 구조는 ITO(150 ㎚)/ELM200_HIL(50 ㎚)/ELM002_HTL(30 ㎚)/Alq3 : 1 vol.% Rubrene(30 ㎚)/Alq3(30 ㎚)/LiF(0.7 ㎚)/Al(100 ㎚)를 순차적으로 성막하였다. 버퍼층으로 LiF를 사용한 경우 수명 특성에는 큰 차이를 보이지 않았으나 SiNx와 LiF/SiNx를 사용한 경우에는 수명이 개선되었다. 그러나 LiF/SiNx를 버퍼층으로 사용한 경우를 제외한 LiF, SiNx의 경우에는 보호층을 성막함에 따라 발생하는 막 사이의 열팽창 계수차이에 의해 보호 과정에서 손상을 입었다. LiF/SiNx를 사용한 경우에는 이와는 다르게 보호층 성막과정에서 손상을 입지 않고 성막됨에 따라 수명특성이 매우 개선되는 것을 볼 수 있었다.
본 논문에서는 수명 개선을 위해 유/무기 복합막을 보호층으로 적용하고 이때 보호층의 성막과정에서 발생하는 응력 및 대기 중의 노출과 같은 직접적인 손상으로부터 소자를 보호하기 위하여 LiF, SiNx, LiF/SiNx의 3가지 버퍼층을 사용하였다. 기본소자로 Alq3에 Rubrene을 1 vol.% 도핑한 적색 OLED를 사용하였다. 그 구조는 ITO(150 ㎚)/ELM200_HIL(50 ㎚)/ELM002_HTL(30 ㎚)/Alq3 : 1 vol.% Rubrene(30 ㎚)/Alq3(30 ㎚)/LiF(0.7 ㎚)/Al(100 ㎚)를 순차적으로 성막하였다. 버퍼층으로 LiF를 사용한 경우 수명 특성에는 큰 차이를 보이지 않았으나 SiNx와 LiF/SiNx를 사용한 경우에는 수명이 개선되었다. 그러나 LiF/SiNx를 버퍼층으로 사용한 경우를 제외한 LiF, SiNx의 경우에는 보호층을 성막함에 따라 발생하는 막 사이의 열팽창 계수차이에 의해 보호 과정에서 손상을 입었다. LiF/SiNx를 사용한 경우에는 이와는 다르게 보호층 성막과정에서 손상을 입지 않고 성막됨에 따라 수명특성이 매우 개선되는 것을 볼 수 있었다.
Organic/inorganic composite films were used as a passivation layer for the purpose of improving lifetime, and three buffer layers - LiF, SiNx, LiF/SiNx – were employed to protect devices from direct damage occurred in the process of forming a passivation layer. Red OLEDs doped with 1 vol.% Rub...
Organic/inorganic composite films were used as a passivation layer for the purpose of improving lifetime, and three buffer layers - LiF, SiNx, LiF/SiNx – were employed to protect devices from direct damage occurred in the process of forming a passivation layer. Red OLEDs doped with 1 vol.% Rubrene in Alq3 were used as a basic device. The films consist of ITO(150 ㎚)/ ELM200_HIL(50 ㎚)/ ELM002_HTL(30 ㎚)/ Alq3: 1 vol.% Rubrene(30 ㎚)/ Alq3(30 ㎚) and LiF(0.7 ㎚)/Al(100 ㎚) which were formed in that order. Using LiF as a buffer layer made little difference in lifetime, while each case of employing SiNx or LiF/SiNx improved lifetime. However, when LiF or SiNx was used as a buffer layer, damage occurred during the formation of passivation layer because of difference in heat expansion coefficients between films. In contrast, using LiF/SiNx significantly improved lifetime without suffering damage in the process of forming passivation layer.
Organic/inorganic composite films were used as a passivation layer for the purpose of improving lifetime, and three buffer layers - LiF, SiNx, LiF/SiNx – were employed to protect devices from direct damage occurred in the process of forming a passivation layer. Red OLEDs doped with 1 vol.% Rubrene in Alq3 were used as a basic device. The films consist of ITO(150 ㎚)/ ELM200_HIL(50 ㎚)/ ELM002_HTL(30 ㎚)/ Alq3: 1 vol.% Rubrene(30 ㎚)/ Alq3(30 ㎚) and LiF(0.7 ㎚)/Al(100 ㎚) which were formed in that order. Using LiF as a buffer layer made little difference in lifetime, while each case of employing SiNx or LiF/SiNx improved lifetime. However, when LiF or SiNx was used as a buffer layer, damage occurred during the formation of passivation layer because of difference in heat expansion coefficients between films. In contrast, using LiF/SiNx significantly improved lifetime without suffering damage in the process of forming passivation layer.
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