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최근에 인광유기발광다이오드는 우수한 발광 효율 때문에 각광을 받고 있다. 하지만 유기발광다이오드는 내부에서 발생한 빛이 소자에서 내부 반사 현상과 wave-guiding 등으로 80 % 정도 손실이 되어, 정면에서 볼 수 있는 빛의 양은 약 20 ~ 25 % 정도로 알려져 있다. 이 때문에 유기발광다이오드소자의 최대 양자효율은 인광유기발광다이오드의 경우 최대 25 % 로 알려져 있다. 따라서 높은 양자효율의 인광유기발광다이오드를 제작하기 위해서는 내부에서 발생하는 효율을 최대한 시켜야 한다. 따라서 본 학위논문에는 인광유기발광다이오드의 고효율화를 위하여 양자효율을 향상시키는 방법에 관한 연구를 수행하였다.
지금까지 알려진 인광유기발광다이오드의 고효율화를 위한 방법에는 몇 가지 문제점들이 있다. 높은 양자효율의 인광유기발광다이오드를 제작하기 위해서는 인광 도펀트의 여기 에너지를 발광층 안에 속박시켜야 한다. 발광층 안에 ...
저자 | 박정수 |
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학위수여기관 | 경희대학교 대학원 |
학위구분 | 국내박사 |
학과 | 정보디스플레이전공 |
지도교수 | 권장혁,장진 |
발행연도 | 2011 |
총페이지 | xi, 185 p. |
키워드 | 유기발광다이오드 인광 양자효율 |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T12510184&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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