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NTIS 바로가기기존의 CMOS 제조 공정에 그대로 적용 할 수 있으며 트랜지스터의 속도를 획기적으로 증대시킬 수 있는 방법으로 제시된 것으로 Si 또는 strained Si 채널보다 전자 및 홀 이동도가 비교적 큰 고이동도 채널을 도입하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 그러한 기판 재료의 후보로는 Ge, Ⅲ-Ⅴ족, 그래핀 등이 거론되고 있으며, 이러한 고이동도 채널 기판은 native oxide의 생성과 제어 및 기판과 유전박막의 사이 계면의 unstability 특성으로 인해 집적화에 많은 문제가 발생 하고 있다. 본 연구에서는 전하이동도가 큰 Ge를 채널로 사용하는 Ge 및 Ge on Si(...
저자 | 류경민 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 신소재공학과 |
지도교수 | 안진호 |
발행연도 | 2012 |
총페이지 | viii, 79 p. |
키워드 | 재료공학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T12865521&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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