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NTIS 바로가기최근 평면 구조 memory 소자의 집적도 한계를 극복할 수 있는 3차원 구조의 memory 소자에 대한 관심이 높아짐에 따라 새로운 3차원 NAND flash 소자구조가 제안되고 있다. 이러한 3차원 소자에서는 고단차의 패턴에서 매우 우수한 step coverage와 높은 품질을 갖는 ...
저자 | 이한결 |
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학위수여기관 | 세종대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 나노신소재공학과 |
지도교수 | 이원준 |
발행연도 | 2013 |
총페이지 | 82p. |
키워드 | atomic layer deposition silicon nitride octaclorotrissilane SONOS charge trap memory |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13025788&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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