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NTIS 바로가기주관연구기관 | 원익아이피에스 |
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연구책임자 | 하형찬 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-07 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
과제관리전문기관 | 한국산업기술평가관리원 Korea Evaluation Institute of Industrial Technology |
등록번호 | TRKO201800039546 |
과제고유번호 | 1711026110 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-11-03 |
키워드 | 반도체 장비.PEALD.SiN.SiO2. |
□ 핵심기술
• PEALD를 위한 Plasma 안정성 확보 및 빠른 valve switching monitoring 현실화, Chamber 최적화 및 stageheater 개발 등
□ 최종목표
• 1X/2Xnm급 반도체용 저온 무기물 증착을 위한 PEALD 장비기술개발
- 500℃ 이상 공정이 가능한 chamber 개발
- Plasma 공정이 가능한 mini batch 장비 개발
- Dep. rate >0.7Å/cycle 이 가능한 precursor 개발
□ 개발내용 및 결과
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