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다이아몬드의 합성과 구조는 혼합기체의 아르곤의 농도와 사이클릭, 바이어스 전압 과정에 의해서 결정된다. 이러한 연구들은 다이아몬드 박막 필름의 결정크기의 다이아몬드가 혼합기체 속에 아르곤의 농도에 따라서 크기가 변하는 것을 나타낸다. 사이클릭과 바이어스 전압은 다이아몬드 박막을 균일하고 높은 밀도로 형성될 수 있도록 도와준다. 이러한 과정은 다이아몬드 박막을 제조하는 공정에서 가격을 낮추는데 중요한 요소가 된다. B2H6을 불순물로 사용한 ...

다이아몬드의 합성과 구조는 혼합기체의 아르곤의 농도와 사이클릭, 바이어스 전압 과정에 의해서 결정된다. 이러한 연구들은 다이아몬드 박막 필름의 결정크기의 다이아몬드가 혼합기체 속에 아르곤의 농도에 따라서 크기가 변하는 것을 나타낸다. 사이클릭과 바이어스 전압은 다이아몬드 박막을 균일하고 높은 밀도로 형성될 수 있도록 도와준다. 이러한 과정은 다이아몬드 박막을 제조하는 공정에서 가격을 낮추는데 중요한 요소가 된다. B2H6을 불순물로 사용한 붕소를 도핑한 다이아몬드도 역시 연구가 되고 있다.
SEM 이미지, XRD와 라만 스펙트럼은 다이아몬드 필름이 높은 결정구조를 갖고 있다는 것을 보여준다. 게다가, 기판 (실리콘, 티타늄), B2H6, CH4, H2 , Ar을 사용해서 박막의 품질과 성장속도를 향상시키는 공정들이 연구되어졌다.
XPS은 붕소가 도핑된 다이아몬드 박막에서 붕소의 농도를 확인하는데 사용했다. 도표에서 보이는 것처럼 높은 농도(6.21%)의 붕소를 확인할 수 있다. 이것은 사이클릭, 바이어스 전압 과정과 혼합기체 속의 아르곤 효과에 의한 것이다.
요약하자면, 붕소가 도핑된 다이아몬드와 순수한 다이아몬드와의 반사율과 전도성의 상이한 차이를 확인 할 수 있었다. 이 연구는 붕소를 도핑 함으로써 억셉터 불순물 에너지 위치가 가전자대 밴드 위에 가깝게 위치하고 있다는 것을 보여준다. 높은 농도로 도핑이 되었을 때 이러한 불순물 밴드는 가전자대 밴드와 중첩될 수 있다는 것을 나타낸다.
우수한 물리적인 성질 때문에, 이 연구는 화학기상성장법(CVD)을 사용해서 붕소를 도핑한 높은 전도성을 가진 다이아몬드를 나타낸다. 이러한 성질로 인해서, 다이아몬드는 원자력현미경(AFM)의 캔틸레버에 코팅할 수 있고, 방전가공(EDM)을 사용해서 그라인딩 휠의 날카로운 표면을 만들 수 있다.

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