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NTIS 바로가기GaN(gallium nitride)은 직접 천이형(direct transition type) 밴드갭(band gap) 특성을 지니는 광대역 반도체(wide band-gap semiconductor) 물질이다. 또한 GaN은 화학적, 물리적으로 안정하기 때문에 고온 등의 극한 환경에서 응용 가능한 반도체 물질이다. 이러한 장점을 가진 덕분에 GaN은 전자소자 제작에 관한 연구에 널리 응용되고 있다. 하지만, GaN은 화학적으로 안정되어 있어 산이나 염기성 용매를 사용하는 ...
저자 | 안상우 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자통신공학 |
지도교수 | 오재응 |
발행연도 | 2013 |
총페이지 | 46 p. |
키워드 | 전자통신학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13076363&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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