박막 트랜지스터(TFT) 는 액정 디스플레이(LCD) 와 유기 발광 다이오드(OLED) 처럼 평판 디스플레이에 널리 사용되고 있다. TFT-LCD에 사용되는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si: H) 은 낮은 생산 비용, 높은 생산율, 낮은 온도에서 막 ...
박막 트랜지스터(TFT) 는 액정 디스플레이(LCD) 와 유기 발광 다이오드(OLED) 처럼 평판 디스플레이에 널리 사용되고 있다. TFT-LCD에 사용되는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si: H) 은 낮은 생산 비용, 높은 생산율, 낮은 온도에서 막 증착과 같은 장점을 가지고 있다. 이러한 장점 때문에 a-Si:H을 사용한 TFTs 는 평판 디스플레이에서 가장 중요한 소자가 된다. 본 논문에서 활성층 두께를 줄이고 n+ 도핑된 증착막을 이용한 비정질 실리콘박막 트랜지스터의 새로운 역 스태거드 구조를 개발 하였다. 기존 구조에 비해 선형 이동도가 증가하고, 광 누설 전류가 감소하였다. 즉 선형 이동도는 0.30 ㎠ /Vs 에서 0.80 ㎠ /Vs 로 165% 향상되었고 광 누설 전류는 21 pA에서 4.8 pA로 77% 개선이 되었다. 마침내, 고해상도 WFHD(2560×1080)와 프레임 주파수가 240 Hz인 23인치 모니터 패널에 수소화된 비정질 실리콘 TFT를 사용할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT) 는 액정 디스플레이(LCD) 와 유기 발광 다이오드(OLED) 처럼 평판 디스플레이에 널리 사용되고 있다. TFT-LCD에 사용되는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si: H) 은 낮은 생산 비용, 높은 생산율, 낮은 온도에서 막 증착과 같은 장점을 가지고 있다. 이러한 장점 때문에 a-Si:H을 사용한 TFTs 는 평판 디스플레이에서 가장 중요한 소자가 된다. 본 논문에서 활성층 두께를 줄이고 n+ 도핑된 증착막을 이용한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 새로운 역 스태거드 구조를 개발 하였다. 기존 구조에 비해 선형 이동도가 증가하고, 광 누설 전류가 감소하였다. 즉 선형 이동도는 0.30 ㎠ /Vs 에서 0.80 ㎠ /Vs 로 165% 향상되었고 광 누설 전류는 21 pA에서 4.8 pA로 77% 개선이 되었다. 마침내, 고해상도 WFHD(2560×1080)와 프레임 주파수가 240 Hz인 23인치 모니터 패널에 수소화된 비정질 실리콘 TFT를 사용할 수 있다.
Thin film transistor(TFT) has been widely used in a flat display such as liquid crystal display(LCD) and organic light-emitting diode(OLED). The hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) used in TFT-LCD has advantages like lower cost, higher throughput, and lower temperature deposition. For those advan...
Thin film transistor(TFT) has been widely used in a flat display such as liquid crystal display(LCD) and organic light-emitting diode(OLED). The hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) used in TFT-LCD has advantages like lower cost, higher throughput, and lower temperature deposition. For those advantages, TFTs using a-Si:H are the most important devices in a flat panel display. In this paper, we developed a new inverted staggered structure of amorphous silicon thin film transistor that is reducing active thickness and using a n+ doped layer. Compared with a conventional structure, the transistor has electrical characteristics improvement that resistances of channel are reduced, a linear mobility is increased and photo-leakage current is reduced. So the linear mobility has 165 % improvement from 0.30 ㎠/Vs to 0.80 ㎠/Vs and the photo-leakage current has 77 % improvement from 21 pA to 4.8 pA in array TFTs of panel. Finally, a panel of 23inch monitor in a high resolution of WFHD(2560×1080) and a high speedy response of frame frequency 240 Hz is able to use hydrogenated amorphous silicon TFT.
Thin film transistor(TFT) has been widely used in a flat display such as liquid crystal display(LCD) and organic light-emitting diode(OLED). The hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) used in TFT-LCD has advantages like lower cost, higher throughput, and lower temperature deposition. For those advantages, TFTs using a-Si:H are the most important devices in a flat panel display. In this paper, we developed a new inverted staggered structure of amorphous silicon thin film transistor that is reducing active thickness and using a n+ doped layer. Compared with a conventional structure, the transistor has electrical characteristics improvement that resistances of channel are reduced, a linear mobility is increased and photo-leakage current is reduced. So the linear mobility has 165 % improvement from 0.30 ㎠/Vs to 0.80 ㎠/Vs and the photo-leakage current has 77 % improvement from 21 pA to 4.8 pA in array TFTs of panel. Finally, a panel of 23inch monitor in a high resolution of WFHD(2560×1080) and a high speedy response of frame frequency 240 Hz is able to use hydrogenated amorphous silicon TFT.
주제어
#electrical characteristics improvement of amorphous silicon TFT a-Si:H mobility
학위논문 정보
저자
안성훈
학위수여기관
경북대학교 대학원
학위구분
국내석사
학과
산업대학원 반도체공학
지도교수
신장규
발행연도
2012
총페이지
48 p.
키워드
electrical characteristics improvement of amorphous silicon TFT a-Si:H mobility
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