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반도체 제조공정에서는 웨이퍼(Wafer) 표면에 오염 물질이나 미세한 이물질(Particle)들이 회로구성을 방해하거나 금속배선을 단락시켜 제품수율을 저하시키므로, 이를 효과적으로 제거하기 위해 수백 개의 단위공정 전후에 필수적으로 진행되는 것이 바로 세정공정(Cleaning Process)이다. 이러한 세정공정은 초고순도 약품과 초순수(DIW)를 반복적으로 처리하는 과정뿐만 아니라, 웨이퍼와 설비의 접촉면에서의 정전기 발생은 필연적이다. 이렇게 발생한 정전기는, ...

반도체 제조공정에서는 웨이퍼(Wafer) 표면에 오염 물질이나 미세한 이물질(Particle)들이 회로구성을 방해하거나 금속배선을 단락시켜 제품수율을 저하시키므로, 이를 효과적으로 제거하기 위해 수백 개의 단위공정 전후에 필수적으로 진행되는 것이 바로 세정공정(Cleaning Process)이다. 이러한 세정공정은 초고순도 약품과 초순수(DIW)를 반복적으로 처리하는 과정뿐만 아니라, 웨이퍼와 설비의 접촉면에서의 정전기 발생은 필연적이다. 이렇게 발생한 정전기는, 반도체 소자가 형성된 웨이퍼에 순간적으로 방전(Electrostatic Discharge, ESD)되면서 금속배선을 녹이거나 열화를 가속시켜, 반도체 소자가 내장된 제품이나 시스템의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 주고 있다. 따라서 본 연구에서는 정전기 발생 메커니즘과 정전기 발생을 억제하는 각종 제어기술을 통해, 반도체 세정공정에서의 정전기 발생 요인과 이를 효과적으로 제어할 수 있는 다양한 제어방안들을 제시하고자 한다.

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